一种C轴垂直择优取向AlN压电薄膜及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202011262292.8

申请日：

2020-11-12

公开(公告)号：

CN112382718A

公开(公告)日：

2021-02-19

发明(设计)人：

郑泽渔赵雪梅

申请人：

申请人地址：

400060 重庆市南岸区花园路14号

IPC主分类号：

H01L4118

IPC分类号：

H01L4104 H01L41047 H01L4122 H01L4129 H01L4139 C23C1406 C23C1418 C23C1435

代理机构：

重庆辉腾律师事务所 50215

代理人：

王海军

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-02-19	公开	公开
2021-03-09	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 41/18 申请日:20201112

共 50 条

[1]

一种择优取向的AlN压电薄膜及其制备方法 [P].

陈希明 ;

李福龙 ;

薛玉明 ;

朱宇清 ;

张倩 ;

阴聚乾 ;

郭燕 ;

孙连婕 .

中国专利 :CN103095244A ,2013-05-08

[2]

一种C轴择优取向YAlN薄膜及其制备方法与应用 [P].

黄晓旭 ;

刘俊龙 ;

曹端文 ;

张伟刚 .

中国专利 :CN121228188A ,2025-12-30

[3]

一种高c轴取向AlN薄膜及其制备方法与应用 [P].

曾飞 ;

傅肃磊 ;

潘峰 ;

李起 ;

王敏涓 .

中国专利 :CN106011759A ,2016-10-12

[4]

一种磁控溅射制备C轴择优取向氮化铝多晶薄膜的方法和氮化铝多晶薄膜 [P].

谢波玮 ;

苏广辉 ;

张建永 ;

丁发柱 ;

古宏伟 ;

商红静 ;

黄大兴 ;

李太广 ;

邹琪 .

中国专利 :CN111270214A ,2020-06-12

[5]

一种增强AlN薄膜择优取向生长的沉积方法 [P].

周灵平 ;

李智 ;

朱家俊 ;

彭坤 .

中国专利 :CN101824592A ,2010-09-08

[6]

一种c轴择优取向的铌酸铋钙薄膜及其制备方法 [P].

董显林 ;

李宜冠 ;

周志勇 .

中国专利 :CN112813385B ,2021-05-18

[7]

重稀土掺杂ZnO柱状晶择优取向压电薄膜材料及其制备方法 [P].

李敬雨 ;

杨兵 ;

刘琰 ;

张俊 ;

李正刚 ;

雷燕 ;

郭嘉琳 .

中国专利 :CN112038481A ,2020-12-04

[8]

一种（211）择优取向Mo薄膜的制备方法 [P].

余洲 ;

刘连 ;

李珂 .

中国专利 :CN102912304A ,2013-02-06

[9]

A轴择优取向的掺铝氧化锌薄膜制备方法 [P].

洪瑞金 ;

脱文刚 ;

王文 ;

张大伟 ;

陶春先 .

中国专利 :CN103526171B ,2014-01-22

[10]

低温制备C轴择优取向二氧化钛薄膜的方法 [P].

余家国 ;

余火根 ;

程蓓 .

中国专利 :CN1786264A ,2006-06-14

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