一种（211）择优取向Mo薄膜的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210351218.2

申请日：

2012-09-20

公开(公告)号：

CN102912304A

公开(公告)日：

2013-02-06

发明(设计)人：

余洲刘连李珂

申请人：

申请人地址：

610036 四川省成都市金牛区金府路593号8栋3单元21层7号

IPC主分类号：

C23C1435

IPC分类号：

C23C1414

代理机构：

成都中亚专利代理有限公司 51126

代理人：

王岗

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-04-29	授权	授权
2013-03-20	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101413723852 IPC(主分类):C23C 14/35 专利申请号:2012103512182 申请日:20120920
2016-11-09	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101687188015 IPC(主分类):C23C 14/35 专利号:ZL2012103512182 申请日:20120920 授权公告日:20150429 终止日期:20150920
2013-02-06	公开	公开

共 50 条

[1]

一种(006)择优取向γ-In2Se3薄膜的制备方法 [P].

闫勇 ;

余洲 ;

张勇 ;

晏传鹏 ;

赵勇 .

中国专利 :CN103572234A ,2014-02-12

[2]

择优取向的氮化铝薄膜的制备方法 [P].

罗景庭 ;

郭峰 ;

李志琼 ;

付琛 ;

陶然 .

中国专利 :CN114481026A ,2022-05-13

[3]

一种改变Cu3N薄膜择优取向的方法 [P].

杜允 ;

叶满萍 .

中国专利 :CN103255368A ,2013-08-21

[4]

一种400主峰晶面高度择优取向ITO薄膜的制备方法 [P].

朱归胜 ;

徐华蕊 ;

陈一达 ;

赵昀云 ;

张秀元 ;

颜东亮 .

中国专利 :CN106854754A ,2017-06-16

[5]

A轴择优取向的掺铝氧化锌薄膜制备方法 [P].

洪瑞金 ;

脱文刚 ;

王文 ;

张大伟 ;

陶春先 .

中国专利 :CN103526171B ,2014-01-22

[6]

一种增强AlN薄膜择优取向生长的沉积方法 [P].

周灵平 ;

李智 ;

朱家俊 ;

彭坤 .

中国专利 :CN101824592A ,2010-09-08

[7]

磁控溅射原位制备具有择优取向AZO光电薄膜的方法 [P].

郑荣戌 ;

刘红岩 ;

王晓强 ;

李明亚 ;

余述劲 ;

夏侯博文 ;

陈坤 ;

陈怡 .

中国专利 :CN110218972A ,2019-09-10

[8]

一种C轴垂直择优取向AlN压电薄膜及其制备方法 [P].

郑泽渔 ;

赵雪梅 .

中国专利 :CN112382718A ,2021-02-19

[9]

低温制备C轴择优取向二氧化钛薄膜的方法 [P].

余家国 ;

余火根 ;

程蓓 .

中国专利 :CN1786264A ,2006-06-14

[10]

一种高晶面择优取向铜箔的室温电沉积制备方法 [P].

严振华 ;

罗中跃 ;

陈军 ;

程方益 ;

李海霞 .

中国专利 :CN113802155A ,2021-12-17

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