半导体器件及其制造方法、存储器阵列

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110719238.X

申请日：

2021-06-28

公开(公告)号：

CN113540147A

公开(公告)日：

2021-10-22

发明(设计)人：

吴咏捷何彦忠魏惠娴游嘉榕许秉诚马礼修林仲德

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹

IPC主分类号：

H01L2722

IPC分类号：

H01L2724

代理机构：

北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409

代理人：

章社杲;李伟

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-10-22	公开	公开
2021-11-09	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/22 申请日:20210628

共 50 条

[1]

存储器器件、半导体器件及其操作方法 [P].

马可·范·达尔 ;

荷尔本·朵尔伯斯 ;

乔治奥斯·韦理安尼堤斯 ;

布兰丁·迪里耶 ;

马礼修 .

中国专利 :CN113540344A ,2021-10-22

[2]

存储器器件、半导体器件及其操作方法 [P].

马可·范·达尔 ;

荷尔本·朵尔伯斯 ;

乔治奥斯·韦理安尼堤斯 ;

布兰丁·迪里耶 ;

马礼修 .

中国专利 :CN113540344B ,2024-12-24

[3]

半导体存储器件及其制造方法 [P].

杉崎太郎 .

中国专利 :CN101061579A ,2007-10-24

[4]

半导体器件及其形成方法、半导体存储器器件 [P].

姜慧如 ;

林仲德 .

中国专利 :CN113540249A ,2021-10-22

[5]

半导体器件及其形成方法、半导体存储器器件 [P].

姜慧如 ;

林仲德 .

中国专利 :CN113540249B ,2024-09-06

[6]

半导体存储器件、半导体器件及其制造方法 [P].

岩田浩 ;

小仓孝之 ;

柴田晃秀 .

中国专利 :CN1574366A ,2005-02-02

[7]

半导体存储器件和制造该半导体存储器件的方法 [P].

申永奉 ;

李知勋 ;

姜美惠 ;

罗峻熙 ;

南泌旭 ;

芮态基 .

韩国专利 :CN118382292A ,2024-07-23

[8]

半导体存储器件与存储器混载半导体器件、及其制造方法 [P].

舛冈富士雄 ;

新井绅太郎 .

中国专利 :CN101933135A ,2010-12-29

[9]

半导体存储器件及其制造方法 [P].

宋映槿 ;

严祥训 ;

李镕珍 ;

赵珉熙 .

韩国专利 :CN118368887A ,2024-07-19

[10]

半导体存储器件及其制造方法 [P].

弗朗茨·霍夫曼恩 ;

约瑟夫·威勒 .

中国专利 :CN101154634A ,2008-04-02

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