溅射靶以及溅射靶的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201980095022.1

申请日：

2019-09-20

公开(公告)号：

CN113692457A

公开(公告)日：

2021-11-23

发明(设计)人：

古谷祐树

申请人：

申请人地址：

日本东京

IPC主分类号：

C23C1434

IPC分类号：

B22F310 C04B3500 C22C105 C22C504 C22C1907 C22C3000 C22C3200

代理机构：

北京品源专利代理有限公司 11332

代理人：

吕琳;朴秀玉

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-11-23	公开	公开
2021-12-10	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 14/34 申请日:20190920

共 50 条

[1]

溅射靶以及溅射靶的制造方法 [P].

古谷祐树 .

日本专利 :CN119530728A ,2025-02-28

[2]

溅射靶的制造方法以及溅射靶 [P].

萩原淳一郎 ;

东秀一 ;

神原正三 .

中国专利 :CN102171380A ,2011-08-31

[3]

溅射靶及溅射靶的制造方法 [P].

梅本启太 ;

斋藤淳 ;

白井孝典 .

中国专利 :CN112585296A ,2021-03-30

[4]

溅射靶以及溅射靶的制造方法 [P].

下宿彰 .

中国专利 :CN112119178A ,2020-12-22

[5]

溅射靶部件、溅射靶装配体以及溅射靶部件的制造方法 [P].

挂野崇 ;

久家俊洋 .

中国专利 :CN110359020A ,2019-10-22

[6]

溅射靶制造方法及溅射靶 [P].

斋藤淳 .

中国专利 :CN102959122A ,2013-03-06

[7]

溅射靶及溅射靶的制造方法 [P].

武末健太郎 ;

和田优 ;

松本浩一 ;

川越裕 ;

西村元秀 .

中国专利 :CN114008237A ,2022-02-01

[8]

溅射靶及溅射靶的制造方法 [P].

武末健太郎 ;

和田优 ;

松本浩一 ;

川越裕 ;

西村元秀 .

日本专利 :CN114008237B ,2024-06-25

[9]

溅射靶以及用于制造溅射靶的方法 [P].

陈超 ;

卢建栋 ;

克里斯汀·林克 ;

国谷勉 ;

亨里克·施密特 .

中国专利 :CN113774340A ,2021-12-10

[10]

溅射靶以及用于制造溅射靶的方法 [P].

陈超 ;

卢建栋 ;

克里斯汀·林克 ;

国谷勉 ;

亨里克·施密特 .

中国专利 :CN119932496A ,2025-05-06

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