溅射靶以及溅射靶的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201880093408.4

申请日：

2018-12-19

公开(公告)号：

CN112119178A

公开(公告)日：

2020-12-22

发明(设计)人：

下宿彰

申请人：

申请人地址：

日本东京

IPC主分类号：

C23C1434

IPC分类号：

B22F100 C22C105 C22C1907 C22C2600 C22C3800 C22C3200

代理机构：

北京品源专利代理有限公司 11332

代理人：

吕琳;朴秀玉

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-01-08	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 14/34 申请日:20181219
2020-12-22	公开	公开

共 50 条

[1]

溅射靶以及溅射靶的制造方法 [P].

古谷祐树 .

中国专利 :CN113692457A ,2021-11-23

[2]

溅射靶的制造方法以及溅射靶 [P].

萩原淳一郎 ;

东秀一 ;

神原正三 .

中国专利 :CN102171380A ,2011-08-31

[3]

溅射靶以及溅射靶的制造方法 [P].

古谷祐树 .

日本专利 :CN119530728A ,2025-02-28

[4]

溅射靶以及用于制造溅射靶的方法 [P].

陈超 ;

卢建栋 ;

克里斯汀·林克 ;

国谷勉 ;

亨里克·施密特 .

中国专利 :CN113774340A ,2021-12-10

[5]

溅射靶以及用于制造溅射靶的方法 [P].

陈超 ;

卢建栋 ;

克里斯汀·林克 ;

国谷勉 ;

亨里克·施密特 .

中国专利 :CN119932496A ,2025-05-06

[6]

溅射靶部件、溅射靶装配体以及溅射靶部件的制造方法 [P].

挂野崇 ;

久家俊洋 .

中国专利 :CN110359020A ,2019-10-22

[7]

钨溅射靶以及钨溅射靶的制造方法 [P].

太斋贵文 ;

仙田真一郎 .

日本专利 :CN118222988A ,2024-06-21

[8]

溅射靶制造方法及溅射靶 [P].

斋藤淳 .

中国专利 :CN102959122A ,2013-03-06

[9]

溅射靶的制造方法及溅射靶 [P].

藤田昌宏 ;

西冈宏司 .

中国专利 :CN109952389A ,2019-06-28

[10]

溅射靶及溅射靶的制造方法 [P].

芦小丽 ;

新田纯一 ;

中村晃 ;

佐藤美穂 .

中国专利 :CN111051566A ,2020-04-21

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