金属栅的形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510366549.7

申请日：

2015-06-29

公开(公告)号：

CN104979180A

公开(公告)日：

2015-10-14

发明(设计)人：

钟旻黄仁东

申请人：

申请人地址：

201210 上海市浦东新区张江高斯路497号

IPC主分类号：

H01L2128

IPC分类号：

H01L29423

代理机构：

上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275

代理人：

吴世华;林彦之

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-11-18	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101633322357 IPC(主分类):H01L 21/28 专利申请号:2015103665497 申请日:20150629
2015-10-14	公开	公开
2018-09-11	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L 21/28 申请公布日:20151014

共 50 条

[1]

金属栅形成方法 [P].

刘英明 ;

鲍宇 ;

周海锋 ;

方精训 .

中国专利 :CN106328510A ,2017-01-11

[2]

全硅化物金属栅的形成方法 [P].

邓浩 .

中国专利 :CN103632946A ,2014-03-12

[3]

金属栅电极形成方法 [P].

肖德元 ;

季明华 ;

吴汉明 .

中国专利 :CN101930913A ,2010-12-29

[4]

金属栅电极层的形成方法 [P].

王庆玲 ;

邵群 .

中国专利 :CN103117215B ,2013-05-22

[5]

高K金属栅晶体管的形成方法 [P].

李勇 .

中国专利 :CN106847685A ,2017-06-13

[6]

一种金属栅的形成方法 [P].

刘英明 .

中国专利 :CN106409666A ,2017-02-15

[7]

高K金属栅CMOS器件及其形成方法 [P].

库尔班·阿吾提 .

中国专利 :CN105448831A ,2016-03-30

[8]

金属栅极器件形成方法 [P].

雷通 ;

易海兰 ;

丁弋 .

中国专利 :CN105321884A ,2016-02-10

[9]

一种金属栅结构的形成方法 [P].

桑宁波 ;

李润领 ;

关天鹏 .

中国专利 :CN104966668A ,2015-10-07

[10]

半导体器件中金属栅的形成方法 [P].

钱文生 ;

吕赵鸿 .

中国专利 :CN101452840A ,2009-06-10

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