金属栅电极形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910054101.6

申请日：

2009-06-26

公开(公告)号：

CN101930913A

公开(公告)日：

2010-12-29

发明(设计)人：

肖德元季明华吴汉明

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L21283

IPC分类号：

H01L218238

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

李丽

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-12-29	公开	公开
2021-06-04	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/283 申请日:20090626 授权公告日:20120523 终止日期:20200626
2012-05-23	授权	授权
2011-02-16	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101037113807 IPC(主分类):H01L 21/283 专利申请号:2009100541016 申请日:20090626

共 50 条

[1]

一种包括金属栅电极的集成电路及制备金属栅电极的方法 [P].

M·多茨 ;

J·布拉斯克 ;

J·卡瓦利罗斯 ;

C·巴恩斯 ;

M·梅茨 ;

S·达塔 ;

R·曹 .

中国专利 :CN101027770B ,2007-08-29

[2]

金属栅电极层的形成方法 [P].

王庆玲 ;

邵群 .

中国专利 :CN103117215B ,2013-05-22

[3]

栅电极及其形成方法 [P].

崔在成 .

中国专利 :CN1172378C ,1997-07-23

[4]

金属栅电极和金属栅电极的制作方法 [P].

王新鹏 ;

张海洋 ;

张世谋 .

中国专利 :CN102054674A ,2011-05-11

[5]

具有金属栅电极层的半导体结构形成方法 [P].

洪中山 .

中国专利 :CN103390547A ,2013-11-13

[6]

金属栅形成方法 [P].

刘英明 ;

鲍宇 ;

周海锋 ;

方精训 .

中国专利 :CN106328510A ,2017-01-11

[7]

金属栅电极的制作方法 [P].

倪景华 ;

吕伟 ;

刘武平 .

中国专利 :CN102468149A ,2012-05-23

[8]

金属栅电极的制作方法 [P].

倪景华 ;

吕伟 ;

刘武平 ;

三重野文健 .

中国专利 :CN102468151A ,2012-05-23

[9]

金属栅的形成方法 [P].

钟旻 ;

黄仁东 .

中国专利 :CN104979180A ,2015-10-14

[10]

高K金属栅CMOS器件及其形成方法 [P].

库尔班·阿吾提 .

中国专利 :CN105448831A ,2016-03-30

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