栅电极及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN96121474.0

申请日：

1996-12-15

公开(公告)号：

CN1172378C

公开(公告)日：

1997-07-23

发明(设计)人：

崔在成

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2128

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

杨梧

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-03-23	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101059091309 IPC(主分类):H01L 29/78 专利号:ZL961214740 申请日:19961215 授权公告日:20041020 终止日期:20100115
1997-07-23	公开	公开
2004-10-20	授权	授权
1997-06-25	实质审查请求的生效	实质审查请求的生效

共 50 条

[1]

带有凹口的栅电极及其形成方法 [P].

高敏峰 ;

陈思莹 ;

杨敦年 ;

刘人诚 ;

许慈轩 ;

洪丰基 .

中国专利 :CN103378137B ,2013-10-30

[2]

金属栅电极形成方法 [P].

肖德元 ;

季明华 ;

吴汉明 .

中国专利 :CN101930913A ,2010-12-29

[3]

栅极电极及其形成方法 [P].

向阳辉 ;

荆学珍 .

中国专利 :CN101211768A ,2008-07-02

[4]

栅电极的形成方法 [P].

钟汇才 ;

梁擎擎 ;

罗军 ;

赵超 .

中国专利 :CN103632944A ,2014-03-12

[5]

片状凹形沟道栅电极及其形成方法 [P].

吴铁将 ;

陈逸男 ;

刘献文 .

中国专利 :CN102800579B ,2012-11-28

[6]

浮栅及其形成方法、闪存单元及其形成方法 [P].

陈勇 .

中国专利 :CN104425226B ,2015-03-18

[7]

环栅MOSFET及其形成方法 [P].

张海洋 ;

王彦 .

中国专利 :CN107039509A ,2017-08-11

[8]

栅层形成方法 [P].

居建华 .

中国专利 :CN101364536A ,2009-02-11

[9]

高K栅介质层的形成方法及形成装置、晶体管的形成方法 [P].

三重野文健 .

中国专利 :CN103137461A ,2013-06-05

[10]

分栅式闪存及其形成方法 [P].

顾靖 .

中国专利 :CN103413809B ,2013-11-27

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