一种包括金属栅电极的集成电路及制备金属栅电极的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200580032440.4

申请日：

2005-09-16

公开(公告)号：

CN101027770B

公开(公告)日：

2007-08-29

发明(设计)人：

M·多茨 J·布拉斯克 J·卡瓦利罗斯 C·巴恩斯 M·梅茨 S·达塔 R·曹

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

H01L218234

IPC分类号：

H01L21336 H01L218238

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

谭祐祥

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-12-22	授权	授权
2007-08-29	公开	公开
2007-10-24	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

金属栅电极形成方法 [P].

肖德元 ;

季明华 ;

吴汉明 .

中国专利 :CN101930913A ,2010-12-29

[2]

金属栅电极和金属栅电极的制作方法 [P].

王新鹏 ;

张海洋 ;

张世谋 .

中国专利 :CN102054674A ,2011-05-11

[3]

一种制备金属栅电极的方法 [P].

周华杰 ;

徐秋霞 .

中国专利 :CN101447421B ,2009-06-03

[4]

形成具有替代金属栅电极的集成电路 [P].

J·卡瓦利罗斯 ;

J·布拉斯克 ;

M·多齐 ;

M·梅茨 ;

S·达塔 ;

U·肖 ;

R·乔 .

中国专利 :CN100585832C ,2007-07-25

[5]

NMOS金属栅电极的制作方法 [P].

张彬 .

中国专利 :CN103489765A ,2014-01-01

[6]

金属栅电极的制作方法 [P].

倪景华 ;

吕伟 ;

刘武平 .

中国专利 :CN102468149A ,2012-05-23

[7]

金属栅电极的制作方法 [P].

倪景华 ;

吕伟 ;

刘武平 ;

三重野文健 .

中国专利 :CN102468151A ,2012-05-23

[8]

用于CMOS集成电路的替代金属栅极工艺 [P].

H·新见 ;

S-C·宋 .

中国专利 :CN103824811A ,2014-05-28

[9]

金属栅/高K栅介质制备工艺及双金属栅CMOS的制备方法 [P].

康晋锋 ;

刘晓彦 ;

张兴 ;

韩汝琦 ;

王阳元 .

中国专利 :CN1832113A ,2006-09-13

[10]

形成具有金属的栅电极的方法 [P].

奥路班密·O.·艾蒂图图 ;

莱恩·M.·麦克尔森 ;

凯瑟琳·C.·于 ;

小罗伯特·E.·琼斯 .

中国专利 :CN100437939C ,2007-04-11

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