形成具有金属的栅电极的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200580011653.9

申请日：

2005-03-22

公开(公告)号：

CN100437939C

公开(公告)日：

2007-04-11

发明(设计)人：

奥路班密·O.·艾蒂图图莱恩·M.·麦克尔森凯瑟琳·C.·于小罗伯特·E.·琼斯

申请人：

申请人地址：

美国得克萨斯

IPC主分类号：

H01L213205

IPC分类号：

H01L214763

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：

张浩

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2007-06-06	实质审查的生效	实质审查的生效
2018-04-06	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/3205 申请日:20050322 授权公告日:20081126 终止日期:20170322
2007-04-11	公开	公开
2008-11-26	授权	授权

共 50 条

[1]

一种包括金属栅电极的集成电路及制备金属栅电极的方法 [P].

M·多茨 ;

J·布拉斯克 ;

J·卡瓦利罗斯 ;

C·巴恩斯 ;

M·梅茨 ;

S·达塔 ;

R·曹 .

中国专利 :CN101027770B ,2007-08-29

[2]

带有凹口的栅电极及其形成方法 [P].

高敏峰 ;

陈思莹 ;

杨敦年 ;

刘人诚 ;

许慈轩 ;

洪丰基 .

中国专利 :CN103378137B ,2013-10-30

[3]

金属栅电极和金属栅电极的制作方法 [P].

王新鹏 ;

张海洋 ;

张世谋 .

中国专利 :CN102054674A ,2011-05-11

[4]

栅电极的形成方法 [P].

钟汇才 ;

梁擎擎 ;

罗军 ;

赵超 .

中国专利 :CN103632944A ,2014-03-12

[5]

形成具有集成的金属硅化物栅电极的晶体管的方法 [P].

T·R·阿波特 .

中国专利 :CN100421226C ,2006-11-22

[6]

在沟槽栅FET的栅电极上形成自对准硅化物的结构和方法 [P].

罗伯特·J·普泰尔 ;

詹姆斯·J·墨菲 .

中国专利 :CN102365720B ,2012-02-29

[7]

具有平面功函数材料层的替代栅电极 [P].

郭德超 ;

汉述仁 ;

黄洸汉 ;

袁骏 .

中国专利 :CN103688356A ,2014-03-26

[8]

金属栅的形成方法 [P].

钟旻 ;

黄仁东 .

中国专利 :CN104979180A ,2015-10-14

[9]

形成MOS器件的金属栅的混合方法 [P].

徐鹏富 ;

侯永田 ;

李思毅 ;

黄国泰 ;

梁孟松 .

中国专利 :CN101533842A ,2009-09-16

[10]

全硅化物金属栅的形成方法 [P].

邓浩 .

中国专利 :CN103632946A ,2014-03-12

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