NMOS金属栅电极的制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210189781.4

申请日：

2012-06-11

公开(公告)号：

CN103489765A

公开(公告)日：

2014-01-01

发明(设计)人：

张彬

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L2128

IPC分类号：

H01L21336

代理机构：

北京德琦知识产权代理有限公司 11018

代理人：

牛峥;王丽琴

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-01-01	公开	公开
2014-02-05	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101567144217 IPC(主分类):H01L 21/28 专利申请号:2012101897814 申请日:20120611
2016-06-22	授权	授权

共 50 条

[1]

金属栅电极和金属栅电极的制作方法 [P].

王新鹏 ;

张海洋 ;

张世谋 .

中国专利 :CN102054674A ,2011-05-11

[2]

金属栅电极的制作方法 [P].

倪景华 ;

吕伟 ;

刘武平 ;

三重野文健 .

中国专利 :CN102468151A ,2012-05-23

[3]

金属栅电极的制作方法 [P].

倪景华 ;

吕伟 ;

刘武平 .

中国专利 :CN102468149A ,2012-05-23

[4]

金属栅堆叠结构的制作方法 [P].

陈乐乐 .

中国专利 :CN102931066A ,2013-02-13

[5]

倒梯形替代栅极及倒梯形金属栅电极的制作方法 [P].

张翼英 .

中国专利 :CN102412128A ,2012-04-11

[6]

金属栅制作方法 [P].

周地宝 ;

任红茹 .

中国专利 :CN102044421A ,2011-05-04

[7]

一种包括金属栅电极的集成电路及制备金属栅电极的方法 [P].

M·多茨 ;

J·布拉斯克 ;

J·卡瓦利罗斯 ;

C·巴恩斯 ;

M·梅茨 ;

S·达塔 ;

R·曹 .

中国专利 :CN101027770B ,2007-08-29

[8]

“T”形金属栅电极的制作方法 [P].

张翼英 .

中国专利 :CN102412127A ,2012-04-11

[9]

一种金属栅极的制作方法 [P].

鲍宇 ;

张彬 .

中国专利 :CN102543698B ,2012-07-04

[10]

金属栅电极层的形成方法 [P].

王庆玲 ;

邵群 .

中国专利 :CN103117215B ,2013-05-22

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