金属栅制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910197103.0

申请日：

2009-10-13

公开(公告)号：

CN102044421A

公开(公告)日：

2011-05-04

发明(设计)人：

周地宝任红茹

申请人：

申请人地址：

201203 上海市张江路18号

IPC主分类号：

H01L2128

IPC分类号：

H01L21311 H01L21318

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人：

屈蘅;李时云

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-06-15	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101080106367 IPC(主分类):H01L 21/28 专利申请号:2009101971030 申请日:20091013
2020-10-02	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/28 申请日:20091013 授权公告日:20120523 终止日期:20191013
2011-05-04	公开	公开
2012-05-23	授权	授权

共 50 条

[1]

金属栅电极和金属栅电极的制作方法 [P].

王新鹏 ;

张海洋 ;

张世谋 .

中国专利 :CN102054674A ,2011-05-11

[2]

NMOS金属栅电极的制作方法 [P].

张彬 .

中国专利 :CN103489765A ,2014-01-01

[3]

栅氧化层制作方法 [P].

林德成 ;

袁馨 .

中国专利 :CN102103992B ,2011-06-22

[4]

金属栅电极的制作方法 [P].

倪景华 ;

吕伟 ;

刘武平 .

中国专利 :CN102468149A ,2012-05-23

[5]

金属栅电极的制作方法 [P].

倪景华 ;

吕伟 ;

刘武平 ;

三重野文健 .

中国专利 :CN102468151A ,2012-05-23

[6]

一种金属栅的制作方法 [P].

王新鹏 ;

洪中山 .

中国专利 :CN102969231A ,2013-03-13

[7]

一种分离栅MOSFET的制作方法 [P].

张楠 ;

黄健 ;

孙闫涛 ;

顾昀浦 ;

刘静 .

中国专利 :CN113725078A ,2021-11-30

[8]

后栅工艺中金属栅的制作方法 [P].

项金娟 ;

王文武 .

中国专利 :CN102437032B ,2012-05-02

[9]

金属栅堆叠结构的制作方法 [P].

陈乐乐 .

中国专利 :CN102931066A ,2013-02-13

[10]

牺牲栅去除方法及栅堆叠制作方法 [P].

杨涛 ;

殷华湘 ;

徐秋霞 ;

赵超 ;

陈大鹏 .

中国专利 :CN102655121A ,2012-09-05

← 1 2 3 4 5 →