用于CMOS集成电路的替代金属栅极工艺

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310412257.3

申请日：

2013-09-11

公开(公告)号：

CN103824811A

公开(公告)日：

2014-05-28

发明(设计)人：

H·新见 S-C·宋

申请人：

申请人地址：

美国德克萨斯州

IPC主分类号：

H01L218238

IPC分类号：

H01L27092

代理机构：

北京纪凯知识产权代理有限公司 11245

代理人：

赵蓉民

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-03-05	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L 21/8238 申请公布日:20140528
2014-05-28	公开	公开
2015-09-02	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101623832335 IPC(主分类):H01L 21/8238 专利申请号:2013104122573 申请日:20130911

共 50 条

[1]

替代金属栅极集成 [P].

E·登托尼利塔 ;

曾文德 ;

S·德牧科 .

中国专利 :CN112701042A ,2021-04-23

[2]

用于CMOS缩放的金属栅极堆叠 [P].

郑鹏园 ;

永军·杰夫·胡 .

美国专利 :CN117500273A ,2024-02-02

[3]

一种包括金属栅电极的集成电路及制备金属栅电极的方法 [P].

M·多茨 ;

J·布拉斯克 ;

J·卡瓦利罗斯 ;

C·巴恩斯 ;

M·梅茨 ;

S·达塔 ;

R·曹 .

中国专利 :CN101027770B ,2007-08-29

[4]

采用抬高的源极漏极和替代金属栅极的互补型金属氧化物半导体集成电路 [P].

J·卡瓦利洛斯 ;

A·卡佩拉尼 ;

J·布雷斯克 ;

S·达塔 ;

M·多奇 ;

M·梅茨 ;

C·巴恩斯 ;

R·曹 .

中国专利 :CN101203947A ,2008-06-18

[5]

用于高级集成电路结构制造的双金属栅极结构 [P].

J·S·莱布 ;

J·胡 ;

A·达斯古普塔 ;

M·L·哈藤多夫 ;

C·P·奥特 .

美国专利 :CN109860185B ,2025-08-22

[6]

用于高级集成电路结构制造的双金属栅极结构 [P].

J·S·莱布 ;

J·胡 ;

A·达斯古普塔 ;

M·L·哈藤多夫 ;

C·P·奥特 .

中国专利 :CN109860185A ,2019-06-07

[7]

形成具有替代金属栅电极的集成电路 [P].

J·卡瓦利罗斯 ;

J·布拉斯克 ;

M·多齐 ;

M·梅茨 ;

S·达塔 ;

U·肖 ;

R·乔 .

中国专利 :CN100585832C ,2007-07-25

[8]

替代金属栅极finFET器件上的自下而上金属栅极形成 [P].

何虹 ;

王俊利 ;

杨智超 ;

李俊涛 .

中国专利 :CN107112217A ,2017-08-29

[9]

具有带电介质插塞的切割金属栅极的集成电路结构 [P].

R·巴亚提 ;

M·普林斯 ;

M·艾尔金斯 ;

孟令瑶 ;

彭筱琦 ;

A·阿诺德 .

美国专利 :CN120659369A ,2025-09-16

[10]

集成电路及制造具有金属栅极电极的集成电路的方法 [P].

谢瑞龙 ;

朴灿柔 ;

项·波诺斯 .

中国专利 :CN104009003B ,2014-08-27

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