替代金属栅极finFET器件上的自下而上金属栅极形成

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201680005203.7

申请日：

2016-01-04

公开(公告)号：

CN107112217A

公开(公告)日：

2017-08-29

发明(设计)人：

何虹王俊利杨智超李俊涛

申请人：

申请人地址：

美国纽约

IPC主分类号：

H01L2128

IPC分类号：

代理机构：

北京市中咨律师事务所 11247

代理人：

贺月娇;于静

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-08-29	公开	公开
2017-09-22	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101749364365 IPC(主分类):H01L 21/28 专利申请号:2016800052037 申请日:20160104

共 50 条

[1]

替代金属栅极集成 [P].

E·登托尼利塔 ;

曾文德 ;

S·德牧科 .

中国专利 :CN112701042A ,2021-04-23

[2]

替代金属栅极之后埋入式电源轨 [P].

D·S·格兰特 ;

S·穆克什 ;

崔起植 ;

S·戈什 ;

谢瑞龙 .

美国专利 :CN118103971A ,2024-05-28

[3]

用于CMOS集成电路的替代金属栅极工艺 [P].

H·新见 ;

S-C·宋 .

中国专利 :CN103824811A ,2014-05-28

[4]

金属栅极的形成方法 [P].

韩秋华 .

中国专利 :CN104616990B ,2015-05-13

[5]

后形成鳍的置换型金属栅极FINFET [P].

J·B·常 ;

M·A·奎洛姆 ;

W·E·海恩施 .

中国专利 :CN102820230A ,2012-12-12

[6]

金属栅极finFET器件及其制造方法 [P].

杨玉麟 ;

彭辞修 ;

叶致锴 ;

赖理学 .

中国专利 :CN103426770A ,2013-12-04

[7]

形成高K金属栅极器件的后栅极工艺 [P].

禹国宾 .

中国专利 :CN105336592B ,2016-02-17

[8]

金属栅极器件形成方法 [P].

雷通 ;

易海兰 ;

丁弋 .

中国专利 :CN105321884A ,2016-02-10

[9]

用于形成取代金属栅极的方法及相关装置 [P].

吴旭升 ;

王海艇 .

中国专利 :CN108281385A ,2018-07-13

[10]

半导体装置的替代金属栅极中的功函数金属的选择性生长 [P].

蔡秀雨 ;

H·金 ;

张洵渊 .

中国专利 :CN106158749A ,2016-11-23

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