替代金属栅极集成

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202011133699.0

申请日：

2020-10-21

公开(公告)号：

CN112701042A

公开(公告)日：

2021-04-23

发明(设计)人：

E·登托尼利塔曾文德 S·德牧科

申请人：

申请人地址：

比利时勒芬

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L29423 H01L2978 B82Y1000

代理机构：

上海专利商标事务所有限公司 31100

代理人：

蔡文清;王颖

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-04-23	公开	公开
2022-09-09	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/336 申请日:20201021

共 50 条

[1]

用于CMOS集成电路的替代金属栅极工艺 [P].

H·新见 ;

S-C·宋 .

中国专利 :CN103824811A ,2014-05-28

[2]

替代金属栅极finFET器件上的自下而上金属栅极形成 [P].

何虹 ;

王俊利 ;

杨智超 ;

李俊涛 .

中国专利 :CN107112217A ,2017-08-29

[3]

替代金属栅极之后埋入式电源轨 [P].

D·S·格兰特 ;

S·穆克什 ;

崔起植 ;

S·戈什 ;

谢瑞龙 .

美国专利 :CN118103971A ,2024-05-28

[4]

形成具有替代金属栅电极的集成电路 [P].

J·卡瓦利罗斯 ;

J·布拉斯克 ;

M·多齐 ;

M·梅茨 ;

S·达塔 ;

U·肖 ;

R·乔 .

中国专利 :CN100585832C ,2007-07-25

[5]

具有降低的层间电介质层蚀刻速率的替代金属栅极处理 [P].

程慷果 ;

王俊利 ;

黄洸汉 ;

杨智超 .

中国专利 :CN103515244A ,2014-01-15

[6]

改善替代金属栅极硅团聚的方法和晶圆传送装置 [P].

郑凯仁 ;

巴文民 ;

刘厥扬 ;

胡展源 .

中国专利 :CN112687530A ,2021-04-20

[7]

具有无边界接触的取代金属栅极 [P].

D·V·霍拉克 ;

范淑贞 ;

T·E·斯坦戴特 .

中国专利 :CN103210485A ,2013-07-17

[8]

半导体装置的替代金属栅极中的功函数金属的选择性生长 [P].

蔡秀雨 ;

H·金 ;

张洵渊 .

中国专利 :CN106158749A ,2016-11-23

[9]

采用抬高的源极漏极和替代金属栅极的互补型金属氧化物半导体集成电路 [P].

J·卡瓦利洛斯 ;

A·卡佩拉尼 ;

J·布雷斯克 ;

S·达塔 ;

M·多奇 ;

M·梅茨 ;

C·巴恩斯 ;

R·曹 .

中国专利 :CN101203947A ,2008-06-18

[10]

使用栅极优先方法集成非易失性存储器和高K及金属栅极 [P].

A·H·佩雷拉 .

中国专利 :CN104347519A ,2015-02-11

← 1 2 3 4 5 →