使用栅极优先方法集成非易失性存储器和高K及金属栅极

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410331841.0

申请日：

2014-07-14

公开(公告)号：

CN104347519A

公开(公告)日：

2015-02-11

发明(设计)人：

A·H·佩雷拉

申请人：

申请人地址：

美国得克萨斯

IPC主分类号：

H01L218247

IPC分类号：

H01L2128 H01L27115

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038

代理人：

陈华成

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-03-29	授权	授权
2016-07-20	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101670893700 IPC(主分类):H01L 21/8247 专利申请号:2014103318410 申请日:20140714
2015-02-11	公开	公开
2017-11-21	著录事项变更	著录事项变更 IPC(主分类):H01L 21/8247 变更事项:申请人变更前:飞思卡尔半导体公司变更后:恩智浦美国有限公司变更事项:地址变更前:美国得克萨斯变更后:美国得克萨斯

共 50 条

[1]

存储器晶体管到高K、金属栅极CMOS工艺流程中的集成 [P].

克里希纳斯瓦米·库马尔 .

中国专利 :CN108493101B ,2018-09-04

[2]

存储器晶体管到高K、金属栅极CMOS工艺流程中的集成 [P].

克里希纳斯瓦米·库马尔 .

中国专利 :CN105340068A ,2016-02-17

[3]

分离栅极型非易失性存储器的制造方法 [P].

田喜锡 ;

尹胜范 .

中国专利 :CN1614768A ,2005-05-11

[4]

浮动栅极非易失性存储器及其制作方法 [P].

池田雄次 .

中国专利 :CN100411177C ,2006-02-15

[5]

双栅极非易失性存储器及其制造方法 [P].

赫尔本·多恩博斯 ;

皮埃尔·戈阿兰 .

中国专利 :CN100541723C ,2008-09-24

[6]

多指栅极非易失性存储器基元 [P].

王蓝翔 ;

卓荣发 ;

陈学深 ;

蔡新树 ;

孙永顺 .

:CN114068563B ,2025-09-23

[7]

多指栅极非易失性存储器基元 [P].

王蓝翔 ;

卓荣发 ;

陈学深 ;

蔡新树 ;

孙永顺 .

中国专利 :CN114068563A ,2022-02-18

[8]

用于单栅极非易失性存储器的结构及方法 [P].

廖大传 ;

杨健国 ;

徐英杰 ;

陈世宪 ;

郭良泰 ;

柯钧耀 .

中国专利 :CN103050496A ,2013-04-17

[9]

兼容高介电常数/金属栅极(HK/MG)的浮置栅极(FG)/铁电偶极子非易失性存储器和逻辑器件 [P].

X·李 ;

J·J·徐 ;

Z·王 ;

B·杨 ;

X·陈 ;

Y·陆 .

中国专利 :CN107004586A ,2017-08-01

[10]

分裂栅极非易失性存储器(NVM)单元及其方法 [P].

姜盛泽 ;

洪全敏 .

中国专利 :CN104022119A ,2014-09-03

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