使用栅极优先方法集成非易失性存储器和高K及金属栅极

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410331841.0

申请日：

2014-07-14

公开(公告)号：

CN104347519A

公开(公告)日：

2015-02-11

发明(设计)人：

A·H·佩雷拉

申请人：

申请人地址：

美国得克萨斯

IPC主分类号：

H01L218247

IPC分类号：

H01L2128 H01L27115

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038

代理人：

陈华成

法律状态：

授权

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-03-29	授权	授权
2016-07-20	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101670893700 IPC(主分类):H01L 21/8247 专利申请号:2014103318410 申请日:20140714
2015-02-11	公开	公开
2017-11-21	著录事项变更	著录事项变更 IPC(主分类):H01L 21/8247 变更事项:申请人变更前:飞思卡尔半导体公司变更后:恩智浦美国有限公司变更事项:地址变更前:美国得克萨斯变更后:美国得克萨斯

共 50 条

[21]

具有高K金属栅极的嵌入式SONOS及其制造方法 [P].

克里希纳斯瓦米·库马尔 .

:CN111801801B ,2024-08-27

[22]

制造用于制造分裂栅极非易失性存储器单元的半导体结构的方法 [P].

布赖恩·A·温斯特德 ;

郑·M·洪 ;

康承泰 ;

康斯坦丁·V·罗伊克 ;

斯潘塞·E·威廉姆斯 .

中国专利 :CN102696108B ,2012-09-26

[23]

电荷捕捉非易失性存储器及其逐个栅极擦除的方法 [P].

叶致锴 .

中国专利 :CN1722444B ,2006-01-18

[24]

浮置栅极层与非易失性存储器的制造方法 [P].

颜琬仪 ;

赖亮全 ;

王炳尧 .

中国专利 :CN101399230A ,2009-04-01

[25]

具有存储器栅极和源极线加扰的非易失性存储器阵列 [P].

C·陈 ;

约拉姆·比特森 ;

K-T·张 ;

阿米凯·吉万特 ;

S·谢蒂 ;

S·房 .

中国专利 :CN110050306A ,2019-07-23

[26]

栅极二极管非易失性存储器工艺 [P].

欧天凡 ;

蔡文哲 ;

赖二琨 ;

高瑄苓 .

中国专利 :CN101221923B ,2008-07-16

[27]

形成非易失性存储器件的栅极的方法 [P].

宋锡杓 ;

辛东善 ;

皮升浩 ;

朴基善 ;

黄善焕 ;

李美梨 ;

朴吉在 .

中国专利 :CN101465291A ,2009-06-24

[28]

使用三栅极非易失性存储器单元阵列的神经网络分类器 [P].

H·V·特兰 ;

S·莱姆克 ;

V·蒂瓦里 ;

N·多 ;

M·雷顿 .

美国专利 :CN113330461B ,2025-08-08

[29]

使用二栅极非易失性存储器单元阵列的神经网络分类器 [P].

H·V·特兰 ;

S·莱姆克 ;

V·蒂瓦里 ;

N·多 ;

M·雷顿 .

中国专利 :CN113366503B ,2021-09-07

[30]

使用三栅极非易失性存储器单元阵列的神经网络分类器 [P].

H·V·特兰 ;

S·莱姆克 ;

V·蒂瓦里 ;

N·多 ;

M·雷顿 .

中国专利 :CN113330461A ,2021-08-31

← 1 2 3 4 5 →