用于CMOS缩放的金属栅极堆叠

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202310948868.3

申请日：

2023-07-31

公开(公告)号：

CN117500273A

公开(公告)日：

2024-02-02

发明(设计)人：

郑鹏园永军·杰夫·胡

申请人：

美光科技公司

申请人地址：

美国爱达荷州

IPC主分类号：

H10B41/20

IPC分类号：

H10B41/41 H10B41/35

代理机构：

北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287

代理人：

王龙

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-02-02	公开	公开
2025-08-19	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10B 41/20申请日:20230731

共 50 条

[1]

用于CMOS集成电路的替代金属栅极工艺 [P].

H·新见 ;

S-C·宋 .

中国专利 :CN103824811A ,2014-05-28

[2]

具有共用栅极堆叠的双通道CMOS [P].

李忠贤 ;

安藤崇志 ;

V·纳拉亚南 ;

H·贾甘纳特涵 .

中国专利 :CN110692119A ,2020-01-14

[3]

CMOS硅化物金属栅集成 [P].

里基·S.·艾莫斯 ;

黛安·C.·博伊德 ;

小西里尔·卡布拉尔 ;

理查德·D.·卡普兰 ;

贾库伯·T.·克德泽尔斯基 ;

顾伯聪 ;

李宇萤 ;

李瑛 ;

安达·C.·莫库塔 ;

维嘉·纳拉亚纳 ;

安·L.·斯蒂根 ;

玛赫斯瓦仁·苏仁德拉 .

中国专利 :CN1943027B ,2007-04-04

[4]

用于金属栅极集成的栅极堆叠及栅极堆叠蚀刻顺序 [P].

马克·R·维索凯 .

中国专利 :CN1961429A ,2007-05-09

[5]

通过在栅极和沟道中引起应变来增强CMOS晶体管性能的方法 [P].

海宁·S·杨 .

中国专利 :CN101390209A ,2009-03-18

[6]

金属栅极堆叠的形成方法及具有金属栅极堆叠的集成电路 [P].

钟昇镇 ;

郑光茗 ;

庄学理 .

中国专利 :CN101707190A ,2010-05-12

[7]

用于CMOS图像传感器像素的方形栅极源极跟随器 [P].

高云飞 ;

吴泰锡 ;

萧锦文 .

中国专利 :CN114725139A ,2022-07-08

[8]

互补金属氧化物半导体（CMOS）反相器电路装置 [P].

柳凡善 ;

林奎昊 ;

姜汰竟 .

中国专利 :CN104579309A ,2015-04-29

[9]

互补金属氧化物半导体（CMOS）反相器电路装置 [P].

柳凡善 ;

林奎昊 ;

姜汰竟 .

中国专利 :CN113193866A ,2021-07-30

[10]

用于晶片堆叠封装的串驱动器连接 [P].

M·A·史密斯 ;

M·W·波普 ;

R·J·希尔 .

美国专利 :CN120712911A ,2025-09-26

← 1 2 3 4 5 →