用于金属栅极集成的栅极堆叠及栅极堆叠蚀刻顺序

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200580017509.6

申请日：

2005-05-23

公开(公告)号：

CN1961429A

公开(公告)日：

2007-05-09

发明(设计)人：

马克·R·维索凯

申请人：

申请人地址：

美国得克萨斯州

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L21471 H01L21441 H01L214763 H01L21467

代理机构：

北京律盟知识产权代理有限责任公司

代理人：

王允方;刘国伟

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2007-07-25	实质审查的生效	实质审查的生效
2007-05-09	公开	公开
2022-05-06	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20050523 授权公告日:20090325 终止日期:20210523
2009-03-25	授权	授权

共 50 条

[1]

金属栅极堆叠的形成方法及具有金属栅极堆叠的集成电路 [P].

钟昇镇 ;

郑光茗 ;

庄学理 .

中国专利 :CN101707190A ,2010-05-12

[2]

用于CMOS缩放的金属栅极堆叠 [P].

郑鹏园 ;

永军·杰夫·胡 .

美国专利 :CN117500273A ,2024-02-02

[3]

具有TaAlCN层的金属栅极堆叠件 [P].

张简旭珂 ;

王廷君 ;

郑志成 ;

刘继文 .

中国专利 :CN106158932B ,2016-11-23

[4]

半导体元件金属栅极堆叠的制造方法 [P].

张立伟 ;

庄学理 .

中国专利 :CN102148147A ,2011-08-10

[5]

半导体装置的金属栅极堆叠的形成方法 [P].

林志忠 ;

林益安 ;

陈嘉仁 .

中国专利 :CN101667541A ,2010-03-10

[6]

具有金属栅极堆叠的集成电路与其形成方法 [P].

李后儒 ;

郑钧隆 ;

郑光茗 ;

庄学理 .

中国专利 :CN101814492A ,2010-08-25

[7]

用于FINFET晶体管的栅极堆叠件 [P].

A.佩努马特查 ;

成承训 ;

S.克伦登宁 ;

U.阿夫奇 ;

I.A.扬 ;

J.T.卡瓦利罗斯 .

中国专利 :CN111755516A ,2020-10-09

[8]

形成半导体元件及其金属栅极堆叠的方法 [P].

林志忠 ;

林益安 ;

陈嘉仁 .

中国专利 :CN101656206B ,2010-02-24

[9]

栅极堆叠结构及其制作方法 [P].

洪中山 .

中国专利 :CN102386217B ,2012-03-21

[10]

具有多层钼金属栅极堆叠的全环绕栅极集成电路结构的制造 [P].

D·N·戈德斯坦 ;

D·J·汤纳 ;

D·M·克拉姆 ;

O·萨达特 ;

D·S·拉弗里克 ;

O·阿克顿 ;

T·瓦查拉辛杜 ;

A·S·穆尔西 ;

T·加尼 .

中国专利 :CN118738086A ,2024-10-01

← 1 2 3 4 5 →