半导体装置的金属栅极堆叠的形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910168185.6

申请日：

2009-09-03

公开(公告)号：

CN101667541A

公开(公告)日：

2010-03-10

发明(设计)人：

林志忠林益安陈嘉仁

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹市

IPC主分类号：

H01L2128

IPC分类号：

代理机构：

隆天国际知识产权代理有限公司

代理人：

姜燕;陈晨

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-03-10	公开	公开
2010-04-28	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101001301050 IPC(主分类):H01L 21/28 专利申请号:2009101681856 申请日:20090903
2012-02-01	授权	授权

共 50 条

[1]

形成半导体元件及其金属栅极堆叠的方法 [P].

林志忠 ;

林益安 ;

陈嘉仁 .

中国专利 :CN101656206B ,2010-02-24

[2]

半导体元件金属栅极堆叠的制造方法 [P].

张立伟 ;

庄学理 .

中国专利 :CN102148147A ,2011-08-10

[3]

金属栅极堆叠的形成方法及具有金属栅极堆叠的集成电路 [P].

钟昇镇 ;

郑光茗 ;

庄学理 .

中国专利 :CN101707190A ,2010-05-12

[4]

具有金属栅极堆叠的半导体装置及其制造方法 [P].

益冈有里 ;

杨士洪 ;

林秉顺 .

中国专利 :CN101714507A ,2010-05-26

[5]

半导体装置及制造具有金属栅极堆叠的半导体装置的方法 [P].

益冈有里 ;

黄焕宗 .

中国专利 :CN101685780A ,2010-03-31

[6]

半导体元件及其金属栅极堆叠的形成方法 [P].

林毓超 ;

陈嘉仁 ;

林益安 ;

林志忠 .

中国专利 :CN101673686A ,2010-03-17

[7]

半导体装置及其金属栅极的形成方法 [P].

黄健朝 ;

陈光鑫 ;

杨富量 .

中国专利 :CN1674283A ,2005-09-28

[8]

半导体装置的形成方法 [P].

黄如立 ;

江志隆 ;

庄英良 ;

叶明熙 ;

黄国彬 .

中国专利 :CN109524463A ,2019-03-26

[9]

半导体装置及制作具有金属栅极堆叠的半导体装置的方法 [P].

黄仁安 ;

杨文志 ;

陈建良 ;

费中豪 ;

张启新 ;

杨宝如 ;

庄学理 .

中国专利 :CN101728328B ,2010-06-09

[10]

半导体器件及其金属栅极的形成方法 [P].

林静 ;

蔡国辉 .

中国专利 :CN109935518B ,2019-06-25

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