具有金属栅极堆叠的半导体装置及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910178783.1

申请日：

2009-09-30

公开(公告)号：

CN101714507A

公开(公告)日：

2010-05-26

发明(设计)人：

益冈有里杨士洪林秉顺

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹市

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L2128 H01L2978 H01L29423

代理机构：

隆天国际知识产权代理有限公司 72003

代理人：

姜燕;陈晨

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-01-16	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101495208785 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:2009101787831 申请公布日:20100526
2010-05-26	公开	公开
2010-08-04	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101004471364 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:2009101787831 申请日:20090930

共 50 条

[1]

半导体装置及制造具有金属栅极堆叠的半导体装置的方法 [P].

益冈有里 ;

黄焕宗 .

中国专利 :CN101685780A ,2010-03-31

[2]

半导体元件金属栅极堆叠的制造方法 [P].

张立伟 ;

庄学理 .

中国专利 :CN102148147A ,2011-08-10

[3]

形成半导体元件及其金属栅极堆叠的方法 [P].

林志忠 ;

林益安 ;

陈嘉仁 .

中国专利 :CN101656206B ,2010-02-24

[4]

半导体装置的金属栅极堆叠的形成方法 [P].

林志忠 ;

林益安 ;

陈嘉仁 .

中国专利 :CN101667541A ,2010-03-10

[5]

半导体装置及制作具有金属栅极堆叠的半导体装置的方法 [P].

黄仁安 ;

杨文志 ;

陈建良 ;

费中豪 ;

张启新 ;

杨宝如 ;

庄学理 .

中国专利 :CN101728328B ,2010-06-09

[6]

半导体元件及其金属栅极堆叠的形成方法 [P].

林毓超 ;

陈嘉仁 ;

林益安 ;

林志忠 .

中国专利 :CN101673686A ,2010-03-17

[7]

具有金属栅极的半导体结构及其制造方法 [P].

程仲良 ;

陈彦羽 ;

陈韦任 ;

李昌盛 ;

张伟 .

中国专利 :CN104733298A ,2015-06-24

[8]

半导体装置及其制造方法 [P].

杨铭和 ;

麦凯玲 ;

姚高吉 ;

陈世昌 .

中国专利 :CN1815703A ,2006-08-09

[9]

形成半导体元件及其栅极结构的方法 [P].

叶明熙 ;

林舜武 ;

陈启群 ;

陈嘉仁 ;

陈薏新 ;

陈建豪 ;

赵元舜 ;

黄国宾 .

中国专利 :CN101924035A ,2010-12-22

[10]

半导体装置的栅极结构、半导体装置及其制造方法 [P].

韦国樑 ;

李鸿志 .

中国专利 :CN102339740B ,2012-02-01

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