形成半导体元件及其栅极结构的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910167343.6

申请日：

2009-08-21

公开(公告)号：

CN101924035A

公开(公告)日：

2010-12-22

发明(设计)人：

叶明熙林舜武陈启群陈嘉仁陈薏新陈建豪赵元舜黄国宾

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹市

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L2128 H01L2131 H01L218238

代理机构：

隆天国际知识产权代理有限公司 72003

代理人：

姜燕;陈晨

法律状态：

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国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-05-29	授权	授权
2010-12-22	公开	公开
2011-02-02	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101035897820 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:2009101673436 申请日:20090821

共 50 条

[1]

形成半导体元件及其金属栅极堆叠的方法 [P].

林志忠 ;

林益安 ;

陈嘉仁 .

中国专利 :CN101656206B ,2010-02-24

[2]

半导体元件及其金属栅极堆叠的形成方法 [P].

林毓超 ;

陈嘉仁 ;

林益安 ;

林志忠 .

中国专利 :CN101673686A ,2010-03-17

[3]

半导体元件金属栅极堆叠的制造方法 [P].

张立伟 ;

庄学理 .

中国专利 :CN102148147A ,2011-08-10

[4]

具有金属栅极的半导体元件的制作方法 [P].

傅思逸 ;

江文泰 ;

陈映璁 ;

蔡世鸿 ;

林建廷 ;

许启茂 ;

林进富 .

中国专利 :CN103187367A ,2013-07-03

[5]

高介电常数栅极介电材料的形成方法与半导体元件 [P].

欧阳晖 ;

尚·路克·艾佛拉特 ;

萝拉·宁斯 ;

莉塔·沃斯 .

中国专利 :CN101425457B ,2009-05-06

[6]

制造半导体元件的方法与半导体元件 [P].

刘重希 ;

王湘仪 ;

林正堂 ;

余振华 .

中国专利 :CN101714522A ,2010-05-26

[7]

半导体元件及其制造方法 [P].

李达元 ;

黄建豪 ;

陈启群 ;

林纲正 .

中国专利 :CN101667596B ,2010-03-10

[8]

半导体元件及其制造方法 [P].

徐鹏富 ;

柯昕君 ;

林纲正 ;

黄国泰 .

中国专利 :CN101661882A ,2010-03-03

[9]

形成半导体元件的方法 [P].

陈宏玮 ;

钟堂轩 ;

吕升达 ;

张长昀 ;

吴炳坤 ;

王昭雄 ;

杨富量 .

中国专利 :CN1992206A ,2007-07-04

[10]

半导体元件以及形成栅极介电层的半导体制作工艺 [P].

朱彦明 ;

陈荣煌 ;

李晓雯 ;

曾于蓉 .

中国专利 :CN119108349A ,2024-12-10

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