形成半导体元件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610103930.5

申请日：

2006-07-28

公开(公告)号：

CN1992206A

公开(公告)日：

2007-07-04

发明(设计)人：

陈宏玮钟堂轩吕升达张长昀吴炳坤王昭雄杨富量

申请人：

申请人地址：

台湾省新竹市新竹科学工业园区力行六路8号

IPC主分类号：

H01L21822

IPC分类号：

H01L218234

代理机构：

北京中原华和知识产权代理有限责任公司

代理人：

寿宁;张华辉

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2007-08-29	实质审查的生效	实质审查的生效
2009-04-22	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回
2007-07-04	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体元件的形成方法 [P].

曹学文 ;

许光源 ;

詹博文 .

中国专利 :CN102129978A ,2011-07-20

[2]

半导体元件及其形成方法 [P].

黄振浩 ;

卢皓彦 ;

许隨赢 ;

李玥瑩 ;

吴建瑩 ;

赖佳平 .

中国专利 :CN114530467A ,2022-05-24

[3]

半导体元件及其形成方法 [P].

张任远 ;

蔡子中 .

中国专利 :CN115527921A ,2022-12-27

[4]

半导体元件及其形成方法 [P].

翁桐敏 ;

吴宗翰 .

中国专利 :CN109427682A ,2019-03-05

[5]

半导体元件及其形成方法 [P].

钟汉邠 ;

刘季康 .

中国专利 :CN113257741A ,2021-08-13

[6]

半导体元件及形成半导体元件的方法 [P].

王志豪 ;

陈尚志 ;

蔡庆威 ;

王大维 ;

蔡邦彦 .

中国专利 :CN1825627A ,2006-08-30

[7]

半导体元件及形成半导体元件的方法 [P].

陈建豪 ;

聂俊峰 ;

李资良 ;

陈世昌 .

中国专利 :CN1885557A ,2006-12-27

[8]

制造半导体元件的方法与半导体元件 [P].

刘重希 ;

王湘仪 ;

林正堂 ;

余振华 .

中国专利 :CN101714522A ,2010-05-26

[9]

形成半导体元件及其栅极结构的方法 [P].

叶明熙 ;

林舜武 ;

陈启群 ;

陈嘉仁 ;

陈薏新 ;

陈建豪 ;

赵元舜 ;

黄国宾 .

中国专利 :CN101924035A ,2010-12-22

[10]

形成半导体元件的方法 [P].

赖冠颖 ;

谢昕佑 ;

王长茂 ;

邱崇益 .

中国专利 :CN115332248A ,2022-11-11

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