半导体元件的形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010180774.9

申请日：

2010-05-14

公开(公告)号：

CN102129978A

公开(公告)日：

2011-07-20

发明(设计)人：

曹学文许光源詹博文

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹市

IPC主分类号：

H01L2128

IPC分类号：

H01L21285

代理机构：

北京市德恒律师事务所 11306

代理人：

陆鑫;高雪琴

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-08-31	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101102912142 IPC(主分类):H01L 21/28 专利申请号:2010101807749 申请日:20100514
2011-07-20	公开	公开
2013-01-23	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体元件及其形成方法 [P].

翁桐敏 ;

吴宗翰 .

中国专利 :CN109427682A ,2019-03-05

[2]

半导体元件及其形成方法 [P].

黄振浩 ;

卢皓彦 ;

许隨赢 ;

李玥瑩 ;

吴建瑩 ;

赖佳平 .

中国专利 :CN114530467A ,2022-05-24

[3]

半导体元件及其形成方法 [P].

张任远 ;

蔡子中 .

中国专利 :CN115527921A ,2022-12-27

[4]

半导体元件及其形成方法 [P].

李信宏 ;

陈冠全 ;

李年中 ;

李文芳 ;

王智充 .

中国专利 :CN106910737A ,2017-06-30

[5]

半导体元件及其形成方法 [P].

钟汉邠 ;

刘季康 .

中国专利 :CN113257741A ,2021-08-13

[6]

半导体元件的形成方法 [P].

李达元 ;

许光源 ;

叶明熙 ;

黄益成 ;

徐帆毅 ;

欧阳晖 ;

黄明杰 ;

廖士贤 .

中国专利 :CN102386082A ,2012-03-21

[7]

形成半导体元件的方法 [P].

陈宏玮 ;

钟堂轩 ;

吕升达 ;

张长昀 ;

吴炳坤 ;

王昭雄 ;

杨富量 .

中国专利 :CN1992206A ,2007-07-04

[8]

半导体结构以及半导体元件的形成方法 [P].

余振华 ;

吴俊毅 .

中国专利 :CN102254872A ,2011-11-23

[9]

半导体元件及其形成方法 [P].

颜天才 ;

萧竹芸 ;

许家福 .

中国专利 :CN106033745A ,2016-10-19

[10]

半导体元件与其形成方法 [P].

郑振辉 ;

冯家馨 ;

王世维 ;

苏晋德 .

中国专利 :CN102386234B ,2012-03-21

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