半导体元件与其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110263232.2

申请日：

2011-09-02

公开(公告)号：

CN102386234B

公开(公告)日：

2012-03-21

发明(设计)人：

郑振辉冯家馨王世维苏晋德

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹市

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2908 H01L21336

代理机构：

隆天国际知识产权代理有限公司 72003

代理人：

郝新慧;张浴月

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-03-21	公开	公开
2013-10-02	授权	授权
2012-05-02	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101237309926 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2011102632322 申请日:20110902

共 50 条

[1]

半导体元件与其形成方法 [P].

陈建豪 ;

陈佳麟 ;

李资良 ;

陈世昌 ;

徐祖望 .

中国专利 :CN1694231A ,2005-11-09

[2]

半导体元件与其形成方法 [P].

林子敬 ;

吴昀铮 ;

陈炳宏 .

中国专利 :CN120857615A ,2025-10-28

[3]

半导体元件与其形成方法 [P].

张宏宾 ;

邱建明 ;

吴仓聚 ;

眭晓林 ;

余振华 .

中国专利 :CN102208393B ,2011-10-05

[4]

半导体元件与其形成方法 [P].

吴志强 ;

许俊豪 ;

张志豪 ;

谢文兴 .

中国专利 :CN102208443B ,2011-10-05

[5]

半导体元件及其形成方法 [P].

李信宏 ;

陈冠全 ;

李年中 ;

李文芳 ;

王智充 .

中国专利 :CN106910737A ,2017-06-30

[6]

半导体元件的形成方法 [P].

吴旭升 ;

刘昌淼 ;

尚慧玲 .

中国专利 :CN111128735A ,2020-05-08

[7]

半导体装置与其形成方法 [P].

陈宜群 ;

蔡雅怡 ;

杨宜伟 ;

古淑瑗 ;

陈嘉仁 .

中国专利 :CN113113362A ,2021-07-13

[8]

半导体装置与其形成方法 [P].

黄崇勋 .

中国专利 :CN114497218A ,2022-05-13

[9]

半导体元件与其制造方法 [P].

申云洪 ;

张境尹 .

中国专利 :CN120711793A ,2025-09-26

[10]

半导体元件及其形成方法 [P].

吴仓聚 ;

章勋明 .

中国专利 :CN1959978A ,2007-05-09

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