半导体元件与其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510875254.6

申请日：

2025-06-27

公开(公告)号：

CN120857615A

公开(公告)日：

2025-10-28

发明(设计)人：

林子敬吴昀铮陈炳宏

申请人：

台湾积体电路制造股份有限公司

申请人地址：

中国台湾新竹市新竹科学工业园区力行六路八号

IPC主分类号：

H10D84/85

IPC分类号：

H10D84/01

代理机构：

北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006

代理人：

徐金国

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-10-28	公开	公开
2025-11-14	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 84/85申请日:20250627

共 50 条

[1]

半导体元件与其形成方法 [P].

郑振辉 ;

冯家馨 ;

王世维 ;

苏晋德 .

中国专利 :CN102386234B ,2012-03-21

[2]

半导体元件与其形成方法 [P].

陈建豪 ;

陈佳麟 ;

李资良 ;

陈世昌 ;

徐祖望 .

中国专利 :CN1694231A ,2005-11-09

[3]

半导体元件与其形成方法 [P].

张宏宾 ;

邱建明 ;

吴仓聚 ;

眭晓林 ;

余振华 .

中国专利 :CN102208393B ,2011-10-05

[4]

半导体元件与其形成方法 [P].

吴志强 ;

许俊豪 ;

张志豪 ;

谢文兴 .

中国专利 :CN102208443B ,2011-10-05

[5]

半导体元件形成方法 [P].

石津岳明 .

日本专利 :CN120283293A ,2025-07-08

[6]

半导体元件的形成方法和半导体元件 [P].

龚昌鸿 .

中国专利 :CN120166763A ,2025-06-17

[7]

半导体元件的形成方法和半导体元件 [P].

龚昌鸿 .

中国专利 :CN120164841A ,2025-06-17

[8]

半导体元件及其形成方法 [P].

杨锦煌 ;

廖均恒 ;

郑新立 ;

韩良恺 .

中国专利 :CN102593054A ,2012-07-18

[9]

半导体元件及其形成方法 [P].

林时彦 ;

蔡柏政 ;

张煜伟 .

中国专利 :CN115528098A ,2022-12-27

[10]

半导体元件及其形成方法 [P].

颜天才 ;

萧竹芸 ;

许家福 .

中国专利 :CN106033745A ,2016-10-19

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