半导体元件及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110139310.8

申请日：

2011-05-23

公开(公告)号：

CN102593054A

公开(公告)日：

2012-07-18

发明(设计)人：

杨锦煌廖均恒郑新立韩良恺

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹市

IPC主分类号：

H01L2182

IPC分类号：

H01L2102 H01L2706

代理机构：

隆天国际知识产权代理有限公司 72003

代理人：

姜燕;邢雪红

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-05-13	授权	授权
2012-09-19	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101327321011 IPC(主分类):H01L 21/82 专利申请号:2011101393108 申请日:20110523
2012-07-18	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体元件及其形成方法 [P].

林时彦 ;

蔡柏政 ;

张煜伟 .

中国专利 :CN115528098A ,2022-12-27

[2]

半导体元件及其形成方法 [P].

颜天才 ;

萧竹芸 ;

许家福 .

中国专利 :CN106033745A ,2016-10-19

[3]

半导体元件及其形成方法 [P].

吴仓聚 ;

章勋明 .

中国专利 :CN1959978A ,2007-05-09

[4]

半导体元件及其形成方法 [P].

周信宏 ;

蔡高财 .

中国专利 :CN115696923A ,2023-02-03

[5]

半导体元件及其形成方法 [P].

黄振浩 ;

卢皓彦 ;

许隨赢 ;

李玥瑩 ;

吴建瑩 ;

赖佳平 .

中国专利 :CN114530467A ,2022-05-24

[6]

半导体元件及其形成方法 [P].

姜序 .

中国专利 :CN121174541A ,2025-12-19

[7]

半导体元件及其形成方法 [P].

陈孟扬 ;

李荣仁 ;

李世昌 .

中国专利 :CN107230736A ,2017-10-03

[8]

半导体元件及其形成方法 [P].

杨峻华 ;

吕俊霖 .

中国专利 :CN120835541A ,2025-10-24

[9]

半导体元件及其形成方法 [P].

张筱君 ;

沈冠傑 .

中国专利 :CN114792659A ,2022-07-26

[10]

半导体元件及其形成方法 [P].

洪嘉隆 ;

萧逸楷 ;

郭浩中 .

中国专利 :CN119069353A ,2024-12-03

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