半导体元件及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410856474.X

申请日：

2024-06-28

公开(公告)号：

CN120835541A

公开(公告)日：

2025-10-24

发明(设计)人：

杨峻华吕俊霖

申请人：

南亚科技股份有限公司

申请人地址：

中国台湾新北市泰山区南林路98号

IPC主分类号：

H10B12/00

IPC分类号：

代理机构：

北京派特恩知识产权代理有限公司 11270

代理人：

康艳青;张铮铮

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-10-24	公开	公开
2025-11-11	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10B 12/00申请日:20240628

共 50 条

[1]

半导体结构及其形成方法 [P].

丁潇 ;

张浩 ;

左磊 ;

王刚 ;

徐陈林 ;

郝蓓 .

中国专利 :CN117337035A ,2024-01-02

[2]

半导体结构及其形成方法 [P].

华文宇 ;

丁潇 .

中国专利 :CN117042451B ,2024-02-02

[3]

半导体元件及其形成方法 [P].

杨锦煌 ;

廖均恒 ;

郑新立 ;

韩良恺 .

中国专利 :CN102593054A ,2012-07-18

[4]

半导体元件及其形成方法 [P].

林时彦 ;

蔡柏政 ;

张煜伟 .

中国专利 :CN115528098A ,2022-12-27

[5]

半导体元件及其形成方法 [P].

颜天才 ;

萧竹芸 ;

许家福 .

中国专利 :CN106033745A ,2016-10-19

[6]

半导体元件及其形成方法 [P].

吴仓聚 ;

章勋明 .

中国专利 :CN1959978A ,2007-05-09

[7]

半导体元件及其形成方法 [P].

周信宏 ;

蔡高财 .

中国专利 :CN115696923A ,2023-02-03

[8]

半导体元件及其形成方法 [P].

黄振浩 ;

卢皓彦 ;

许隨赢 ;

李玥瑩 ;

吴建瑩 ;

赖佳平 .

中国专利 :CN114530467A ,2022-05-24

[9]

半导体元件及其形成方法 [P].

姜序 .

中国专利 :CN121174541A ,2025-12-19

[10]

半导体元件及其形成方法 [P].

陈孟扬 ;

李荣仁 ;

李世昌 .

中国专利 :CN107230736A ,2017-10-03

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