半导体元件及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411416756.4

申请日：

2024-10-11

公开(公告)号：

CN121174541A

公开(公告)日：

2025-12-19

发明(设计)人：

姜序

申请人：

南亚科技股份有限公司

申请人地址：

中国台湾新北市泰山区南林路98号

IPC主分类号：

H10D30/01

IPC分类号：

H10D30/60 H10D62/13 H10D64/27

代理机构：

北京派特恩知识产权代理有限公司 11270

代理人：

康艳青;张铮铮

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-12-19	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体元件及其形成方法 [P].

周信宏 ;

蔡高财 .

中国专利 :CN115696923A ,2023-02-03

[2]

半导体元件及其形成方法 [P].

王志豪 ;

王大维 .

中国专利 :CN1913175A ,2007-02-14

[3]

半导体元件及其形成方法 [P].

张立伟 ;

朱鸣 ;

庄学理 .

中国专利 :CN102110714A ,2011-06-29

[4]

半导体元件及其形成方法 [P].

黄健朝 .

中国专利 :CN1913111A ,2007-02-14

[5]

半导体元件及其形成方法 [P].

杨锦煌 ;

廖均恒 ;

郑新立 ;

韩良恺 .

中国专利 :CN102593054A ,2012-07-18

[6]

半导体元件及其形成方法 [P].

林时彦 ;

蔡柏政 ;

张煜伟 .

中国专利 :CN115528098A ,2022-12-27

[7]

半导体元件及其形成方法 [P].

颜天才 ;

萧竹芸 ;

许家福 .

中国专利 :CN106033745A ,2016-10-19

[8]

半导体元件及其形成方法 [P].

吴仓聚 ;

章勋明 .

中国专利 :CN1959978A ,2007-05-09

[9]

半导体元件及其形成方法 [P].

黄振浩 ;

卢皓彦 ;

许隨赢 ;

李玥瑩 ;

吴建瑩 ;

赖佳平 .

中国专利 :CN114530467A ,2022-05-24

[10]

半导体元件及其形成方法 [P].

陈孟扬 ;

李荣仁 ;

李世昌 .

中国专利 :CN107230736A ,2017-10-03

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