半导体元件及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610007819.6

申请日：

2006-02-17

公开(公告)号：

CN1913111A

公开(公告)日：

2007-02-14

发明(设计)人：

黄健朝

申请人：

申请人地址：

台湾省新竹科学工业园区新竹市力行六路八号

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L21266 H01L2978

代理机构：

北京林达刘知识产权代理事务所

代理人：

刘新宇

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2007-02-14	公开	公开
2009-09-09	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回
2007-04-11	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

半导体元件及其形成方法 [P].

叶达勋 ;

黄惠民 ;

简育生 .

中国专利 :CN103579337A ,2014-02-12

[2]

半导体元件、互补金属氧化物半导体元件及其形成方法 [P].

洪国信 .

中国专利 :CN101154594A ,2008-04-02

[3]

半导体元件及其形成方法 [P].

叶德夫 ;

陈俊良 ;

洪若珺 ;

庄英良 .

中国专利 :CN120152374A ,2025-06-13

[4]

半导体元件及其形成方法 [P].

颜天才 ;

萧竹芸 ;

许家福 .

中国专利 :CN106033745A ,2016-10-19

[5]

半导体元件及其形成方法 [P].

吴仓聚 ;

章勋明 .

中国专利 :CN1959978A ,2007-05-09

[6]

半导体元件及其形成方法 [P].

姜序 .

中国专利 :CN121174541A ,2025-12-19

[7]

半导体元件及其形成方法 [P].

张峰溢 ;

李甫哲 ;

陈界得 .

中国专利 :CN108389861B ,2018-08-10

[8]

半导体元件及其形成方法 [P].

王志豪 ;

王大维 .

中国专利 :CN1913175A ,2007-02-14

[9]

半导体元件及其形成方法 [P].

吴仓聚 ;

章勋明 .

中国专利 :CN104821275B ,2015-08-05

[10]

半导体元件及其形成方法 [P].

黄文社 ;

郑詠世 ;

杨景峰 ;

陈郁翔 ;

陈啟平 .

中国专利 :CN113488435A ,2021-10-08

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