半导体元件及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510171863.3

申请日：

2025-02-17

公开(公告)号：

CN120152374A

公开(公告)日：

2025-06-13

发明(设计)人：

叶德夫陈俊良洪若珺庄英良

申请人：

台湾积体电路制造股份有限公司

申请人地址：

中国台湾新竹市新竹科学工业园区力行六路八号

IPC主分类号：

H10D84/03

IPC分类号：

H10D84/85

代理机构：

北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006

代理人：

徐金国

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-07-01	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 84/03申请日:20250217
2025-06-13	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体元件及其形成方法 [P].

叶达勋 ;

黄惠民 ;

简育生 .

中国专利 :CN103579337A ,2014-02-12

[2]

金属氧化半导体元件及其形成方法 [P].

朱建文 ;

陈永初 ;

吴锡垣 .

中国专利 :CN102569382B ,2012-07-11

[3]

半导体元件及其形成方法 [P].

王志豪 ;

王大维 .

中国专利 :CN1913175A ,2007-02-14

[4]

半导体元件及其形成方法 [P].

黄健朝 .

中国专利 :CN1913111A ,2007-02-14

[5]

半导体器件及其形成方法 [P].

黄咏骞 ;

黄泰维 ;

钟鸿钦 ;

李达元 ;

陈建豪 ;

张文 ;

徐志安 ;

蔡明兴 .

中国专利 :CN120390445A ,2025-07-29

[6]

半导体结构及其形成方法 [P].

布兰卡·玛佳丽·科佩 ;

王佳敏 ;

阿什瓦蒂·艾耶 ;

克里斯·刘 .

中国专利 :CN113497153B ,2024-08-13

[7]

半导体结构及其形成方法 [P].

布兰卡·玛佳丽·科佩 ;

王佳敏 ;

阿什瓦蒂·艾耶 ;

克里斯·刘 .

中国专利 :CN113497153A ,2021-10-12

[8]

晶体管、半导体元件及其形成方法 [P].

林玉珠 ;

任啟中 ;

江文智 ;

苏明宏 ;

陈永翰 ;

苏美甄 ;

盤家铭 .

中国专利 :CN114520261A ,2022-05-20

[9]

半导体元件及其形成方法 [P].

颜天才 ;

萧竹芸 ;

许家福 .

中国专利 :CN106033745A ,2016-10-19

[10]

半导体元件及其形成方法 [P].

张峰溢 ;

李甫哲 ;

陈界得 .

中国专利 :CN108389861B ,2018-08-10

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