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半导体元件及其形成方法
被引：0
申请号：
CN202110843321.8
申请日：
2021-07-26
公开(公告)号：
CN115696923A
公开(公告)日：
2023-02-03
发明(设计)人：
周信宏
蔡高财
申请人：
申请人地址：
中国台湾台中市
IPC主分类号：
H10B4100
IPC分类号：
H10B4300
代理机构：
北京三友知识产权代理有限公司 11127
代理人：
薛平;郝博
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2023-02-03 | 公开 | 公开 |