半导体元件的形成方法和半导体元件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202311717327.6

申请日：

2023-12-13

公开(公告)号：

CN120164841A

公开(公告)日：

2025-06-17

发明(设计)人：

龚昌鸿

申请人：

成都紫光半导体科技有限公司

申请人地址：

611730 四川省成都市成都高新区尚雅路7号附1号1楼

IPC主分类号：

H01L21/762

IPC分类号：

H10D62/10

代理机构：

北京英创嘉友知识产权代理有限公司 11447

代理人：

杨敏

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-06-17	公开	公开
2025-07-04	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/762申请日:20231213

共 50 条

[1]

半导体元件的形成方法和半导体元件 [P].

龚昌鸿 .

中国专利 :CN120166763A ,2025-06-17

[2]

半导体元件形成方法 [P].

石津岳明 .

日本专利 :CN120283293A ,2025-07-08

[3]

半导体元件及形成半导体元件的方法 [P].

王志豪 ;

陈尚志 ;

蔡庆威 ;

王大维 ;

蔡邦彦 .

中国专利 :CN1825627A ,2006-08-30

[4]

半导体元件及形成半导体元件的方法 [P].

陈建豪 ;

聂俊峰 ;

李资良 ;

陈世昌 .

中国专利 :CN1885557A ,2006-12-27

[5]

半导体元件、封装结构、及半导体元件的形成方法 [P].

萧义理 ;

余振华 ;

郑心圃 ;

董志航 ;

魏程昶 .

中国专利 :CN102148201B ,2011-08-10

[6]

半导体元件的形成方法 [P].

张正伟 ;

洪敏修 ;

蔡纯怡 ;

张根育 ;

刘奕瑩 .

中国专利 :CN114765128A ,2022-07-19

[7]

半导体元件的形成方法 [P].

布莱戴恩·杜瑞兹 ;

马库斯·琼斯·亨利库斯·范达尔 ;

马丁·克里斯多福·霍兰德 ;

荷尔本·朵尔伯斯 ;

乔治·凡利亚尼提斯 .

中国专利 :CN112582271A ,2021-03-30

[8]

半导体元件的形成方法 [P].

曹学文 ;

许光源 ;

詹博文 .

中国专利 :CN102129978A ,2011-07-20

[9]

半导体元件的形成方法 [P].

吴旭升 ;

刘昌淼 ;

尚慧玲 .

中国专利 :CN111128735A ,2020-05-08

[10]

半导体元件的形成方法 [P].

黄玉莲 ;

罗伊辰 ;

李岱庭 ;

李再春 ;

蔡明桓 ;

傅劲逢 ;

杨政桦 .

中国专利 :CN108962736A ,2018-12-07

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