半导体元件的形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710918432.4

申请日：

2017-09-30

公开(公告)号：

CN108962736A

公开(公告)日：

2018-12-07

发明(设计)人：

黄玉莲罗伊辰李岱庭李再春蔡明桓傅劲逢杨政桦

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹市

IPC主分类号：

H01L2128

IPC分类号：

H01L21336

代理机构：

隆天知识产权代理有限公司 72003

代理人：

冯志云;王芝艳

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-12-07	公开	公开
2020-10-30	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L 21/28 申请公布日:20181207

共 50 条

[1]

半导体元件的形成方法 [P].

吴旭升 ;

刘昌淼 ;

尚慧玲 .

中国专利 :CN111128735A ,2020-05-08

[2]

半导体元件图案的形成方法 [P].

刘恩铨 ;

童宇诚 .

中国专利 :CN108630661A ,2018-10-09

[3]

半导体元件结构的形成方法 [P].

何彩蓉 ;

李资良 .

中国专利 :CN115498040A ,2022-12-20

[4]

半导体元件及其形成方法 [P].

周信宏 ;

蔡高财 .

中国专利 :CN115696923A ,2023-02-03

[5]

半导体元件及其形成方法 [P].

姜序 .

中国专利 :CN121174541A ,2025-12-19

[6]

半导体元件及其形成方法 [P].

王志豪 ;

王大维 .

中国专利 :CN1913175A ,2007-02-14

[7]

半导体元件及其形成方法 [P].

张立伟 ;

朱鸣 ;

庄学理 .

中国专利 :CN102110714A ,2011-06-29

[8]

半导体元件与其形成方法 [P].

郑振辉 ;

冯家馨 ;

王世维 ;

苏晋德 .

中国专利 :CN102386234B ,2012-03-21

[9]

半导体元件的形成方法和半导体元件 [P].

龚昌鸿 .

中国专利 :CN120166763A ,2025-06-17

[10]

半导体元件的形成方法和半导体元件 [P].

龚昌鸿 .

中国专利 :CN120164841A ,2025-06-17

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