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半导体元件结构的形成方法
被引：0
申请号：
CN202210933181.8
申请日：
2022-08-04
公开(公告)号：
CN115498040A
公开(公告)日：
2022-12-20
发明(设计)人：
何彩蓉
李资良
申请人：
申请人地址：
中国台湾新竹市新竹科学工业园区力行六路八号
IPC主分类号：
H01L2978
IPC分类号：
H01L21336
代理机构：
北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006
代理人：
徐金国
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2022-12-20 | 公开 | 公开 |
| 2023-01-03 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20220804 |