半导体元件图案的形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710180930.3

申请日：

2017-03-24

公开(公告)号：

CN108630661A

公开(公告)日：

2018-10-09

发明(设计)人：

刘恩铨童宇诚

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹市

IPC主分类号：

H01L23544

IPC分类号：

H01L21336 H01L2978

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

陈小雯

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-09-17	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 23/544 申请日:20170324
2018-10-09	公开	公开
2021-08-27	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L 23/544 申请公布日:20181009

共 50 条

[1]

半导体元件的图案的形成方法 [P].

李晟求 ;

郑载昌 ;

黄永善 ;

卜喆圭 ;

申起秀 .

中国专利 :CN1489183A ,2004-04-14

[2]

半导体元件的精细线图案形成方法 [P].

施信益 ;

林智清 ;

曾自立 .

中国专利 :CN109411333A ,2019-03-01

[3]

半导体元件的形成方法 [P].

吴旭升 ;

刘昌淼 ;

尚慧玲 .

中国专利 :CN111128735A ,2020-05-08

[4]

半导体元件的形成方法 [P].

黄玉莲 ;

罗伊辰 ;

李岱庭 ;

李再春 ;

蔡明桓 ;

傅劲逢 ;

杨政桦 .

中国专利 :CN108962736A ,2018-12-07

[5]

半导体元件的密孔图案形成方法 [P].

施信益 ;

黄仁瑞 .

中国专利 :CN109427555B ,2019-03-05

[6]

形成半导体元件图案的方法 [P].

陈凯评 ;

游奎轩 ;

叶秋显 ;

冯立伟 .

中国专利 :CN108400085B ,2018-08-14

[7]

半导体元件结构的形成方法 [P].

何彩蓉 ;

李资良 .

中国专利 :CN115498040A ,2022-12-20

[8]

半导体元件及其形成方法 [P].

周信宏 ;

蔡高财 .

中国专利 :CN115696923A ,2023-02-03

[9]

半导体元件及其形成方法 [P].

姜序 .

中国专利 :CN121174541A ,2025-12-19

[10]

半导体元件及其形成方法 [P].

王志豪 ;

王大维 .

中国专利 :CN1913175A ,2007-02-14

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