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半导体元件的密孔图案形成方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201711459215.X
申请日：
2017-12-28
公开(公告)号：
CN109427555B
公开(公告)日：
2019-03-05
发明(设计)人：
施信益 黄仁瑞
申请人：
申请人地址：
中国台湾新北市泰山区南林路98号
IPC主分类号：
H01L21027
IPC分类号：
代理机构：
北京派特恩知识产权代理有限公司 11270
代理人：
浦彩华;姚开丽
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2019-03-29 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/027 申请日:20171228
2019-03-05 公开 公开
2021-07-13 授权 授权
共 50 条
[1]
半导体元件图案的形成方法 [P]. 
刘恩铨 ;
童宇诚 .
中国专利 :CN108630661A ,2018-10-09
[2]
半导体元件的图案的形成方法 [P]. 
李晟求 ;
郑载昌 ;
黄永善 ;
卜喆圭 ;
申起秀 .
中国专利 :CN1489183A ,2004-04-14
[3]
形成半导体元件图案的方法 [P]. 
陈凯评 ;
游奎轩 ;
叶秋显 ;
冯立伟 .
中国专利 :CN108400085B ,2018-08-14
[4]
半导体元件的接触孔的形成方法 [P]. 
朴根周 .
中国专利 :CN1270354C ,2003-11-19
[5]
基板处理方法、图案形成方法、半导体元件的制造方法及半导体元件 [P]. 
松冈孝明 ;
野泽俊久 ;
堀敏泰 .
中国专利 :CN103081074B ,2013-05-01
[6]
半导体元件的形成方法和半导体元件 [P]. 
龚昌鸿 .
中国专利 :CN120166763A ,2025-06-17
[7]
半导体元件的形成方法和半导体元件 [P]. 
龚昌鸿 .
中国专利 :CN120164841A ,2025-06-17
[8]
半导体元件的精细线图案形成方法 [P]. 
施信益 ;
林智清 ;
曾自立 .
中国专利 :CN109411333A ,2019-03-01
[9]
半导体元件的精细岛状图案形成方法 [P]. 
施江林 ;
施信益 .
中国专利 :CN109427560B ,2019-03-05
[10]
半导体元件的精细线图案形成方法 [P]. 
施信益 .
中国专利 :CN109411334A ,2019-03-01
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