半导体元件及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110118119.9

申请日：

2021-01-28

公开(公告)号：

CN113257741A

公开(公告)日：

2021-08-13

发明(设计)人：

钟汉邠刘季康

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹市

IPC主分类号：

H01L218238

IPC分类号：

代理机构：

隆天知识产权代理有限公司 72003

代理人：

黄艳

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-08-13	公开	公开
2021-08-31	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/8238 申请日:20210128

共 50 条

[1]

半导体元件及其形成方法 [P].

黄振浩 ;

卢皓彦 ;

许隨赢 ;

李玥瑩 ;

吴建瑩 ;

赖佳平 .

中国专利 :CN114530467A ,2022-05-24

[2]

半导体元件及其形成方法 [P].

张任远 ;

蔡子中 .

中国专利 :CN115527921A ,2022-12-27

[3]

半导体元件及其形成方法 [P].

翁桐敏 ;

吴宗翰 .

中国专利 :CN109427682A ,2019-03-05

[4]

半导体元件的形成方法 [P].

曹学文 ;

许光源 ;

詹博文 .

中国专利 :CN102129978A ,2011-07-20

[5]

半导体元件及其形成方法 [P].

杨锦煌 ;

廖均恒 ;

郑新立 ;

韩良恺 .

中国专利 :CN102593054A ,2012-07-18

[6]

半导体元件及其形成方法 [P].

林时彦 ;

蔡柏政 ;

张煜伟 .

中国专利 :CN115528098A ,2022-12-27

[7]

半导体元件及其形成方法 [P].

颜天才 ;

萧竹芸 ;

许家福 .

中国专利 :CN106033745A ,2016-10-19

[8]

半导体元件及其形成方法 [P].

吴仓聚 ;

章勋明 .

中国专利 :CN1959978A ,2007-05-09

[9]

半导体元件及其形成方法 [P].

周信宏 ;

蔡高财 .

中国专利 :CN115696923A ,2023-02-03

[10]

半导体元件及其形成方法 [P].

姜序 .

中国专利 :CN121174541A ,2025-12-19

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