半导体装置及制造具有金属栅极堆叠的半导体装置的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910166436.7

申请日：

2009-08-17

公开(公告)号：

CN101685780A

公开(公告)日：

2010-03-31

发明(设计)人：

益冈有里黄焕宗

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹市

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L2128 H01L2978 H01L2949

代理机构：

隆天国际知识产权代理有限公司

代理人：

姜燕;陈晨

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-05-12	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101001749325 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:2009101664367 申请日:20090817
2012-10-24	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101456933728 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:2009101664367 申请公布日:20100331
2010-03-31	公开	公开

共 50 条

[1]

具有金属栅极堆叠的半导体装置及其制造方法 [P].

益冈有里 ;

杨士洪 ;

林秉顺 .

中国专利 :CN101714507A ,2010-05-26

[2]

半导体元件金属栅极堆叠的制造方法 [P].

张立伟 ;

庄学理 .

中国专利 :CN102148147A ,2011-08-10

[3]

半导体装置及制作具有金属栅极堆叠的半导体装置的方法 [P].

黄仁安 ;

杨文志 ;

陈建良 ;

费中豪 ;

张启新 ;

杨宝如 ;

庄学理 .

中国专利 :CN101728328B ,2010-06-09

[4]

半导体装置的金属栅极堆叠的形成方法 [P].

林志忠 ;

林益安 ;

陈嘉仁 .

中国专利 :CN101667541A ,2010-03-10

[5]

形成半导体元件及其金属栅极堆叠的方法 [P].

林志忠 ;

林益安 ;

陈嘉仁 .

中国专利 :CN101656206B ,2010-02-24

[6]

半导体装置与半导体装置的栅极堆叠的制作方法 [P].

尚-皮耶·柯林基 ;

卡罗斯·H·戴尔兹 .

中国专利 :CN106531795B ,2017-03-22

[7]

半导体装置的栅极结构的制造方法 [P].

江欣哲 ;

曾主元 ;

梁春昇 ;

王淑慧 ;

潘国华 .

中国专利 :CN108074804A ,2018-05-25

[8]

半导体装置的制造方法 [P].

陈嘉仁 ;

林益安 ;

林志忠 ;

莫亦先 ;

陈建豪 ;

黄国泰 ;

陈薏新 .

中国专利 :CN101789397A ,2010-07-28

[9]

半导体装置及半导体装置的制造方法 [P].

户塚正裕 .

中国专利 :CN101740356A ,2010-06-16

[10]

半导体装置及半导体装置的制造方法 [P].

李建泳 ;

金昶汉 ;

尹盛铉 .

韩国专利 :CN113948530B ,2025-07-04

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