半导体装置及制作具有金属栅极堆叠的半导体装置的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910174927.6

申请日：

2009-11-03

公开(公告)号：

CN101728328B

公开(公告)日：

2010-06-09

发明(设计)人：

黄仁安杨文志陈建良费中豪张启新杨宝如庄学理

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹市

IPC主分类号：

H01L218232

IPC分类号：

H01L218234 H01L21335 H01L21336 H01L2128 H01L2704 H01L27085 H01L27088 H01L29772 H01L2978 H01L2906

代理机构：

隆天国际知识产权代理有限公司 72003

代理人：

姜燕;邢雪红

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

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共 50 条

[1]

半导体装置及制造具有金属栅极堆叠的半导体装置的方法 [P].

益冈有里 ;

黄焕宗 .

中国专利 :CN101685780A ,2010-03-31

[2]

半导体装置与半导体装置的栅极堆叠的制作方法 [P].

尚-皮耶·柯林基 ;

卡罗斯·H·戴尔兹 .

中国专利 :CN106531795B ,2017-03-22

[3]

具有金属栅极堆叠的半导体装置及其制造方法 [P].

益冈有里 ;

杨士洪 ;

林秉顺 .

中国专利 :CN101714507A ,2010-05-26

[4]

半导体元件金属栅极堆叠的制造方法 [P].

张立伟 ;

庄学理 .

中国专利 :CN102148147A ,2011-08-10

[5]

半导体装置的金属栅极堆叠的形成方法 [P].

林志忠 ;

林益安 ;

陈嘉仁 .

中国专利 :CN101667541A ,2010-03-10

[6]

半导体装置和具有半导体装置的堆叠半导体封装 [P].

李辰熙 ;

金泽众 .

中国专利 :CN103545270B ,2014-01-29

[7]

具有堆叠的半导体元件的半导体装置 [P].

哈里·黑德勒 ;

罗兰·伊尔希格勒 ;

托尓斯藤·迈耶 .

中国专利 :CN1744312A ,2006-03-08

[8]

具有金属栅极的半导体元件的制作方法 [P].

廖柏瑞 ;

蔡宗龙 ;

林建廷 ;

徐韶华 ;

吕水烟 ;

周珮玉 ;

陈信琦 ;

廖俊雄 ;

蔡尚元 ;

杨建伦 ;

蔡腾群 ;

林俊贤 .

中国专利 :CN102683282A ,2012-09-19

[9]

具有堆叠的半导体元件的半导体装置 [P].

哈里·黑德勒 ;

罗兰·伊尔西格勒 .

中国专利 :CN100448001C ,2006-03-08

[10]

具有金属栅极的半导体元件的制作方法 [P].

廖柏瑞 ;

蔡宗龙 ;

林建廷 ;

徐韶华 ;

陈意维 ;

黄信富 ;

李宗颖 ;

蔡旻錞 ;

杨建伦 ;

吴俊元 ;

蔡腾群 ;

黄光耀 ;

许嘉麟 ;

杨杰甯 ;

陈正国 ;

曾荣宗 ;

李志成 ;

施宏霖 ;

黄柏诚 ;

陈奕文 ;

许哲华 .

中国专利 :CN102738083A ,2012-10-17

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法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-08-11	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101004499837 IPC(主分类):H01L 21/8232 专利申请号:2009101749276 申请日:20091103
2010-06-09	公开	公开
2011-08-24	授权	授权