具有金属栅极的半导体结构及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410075694.5

申请日：

2014-03-03

公开(公告)号：

CN104733298A

公开(公告)日：

2015-06-24

发明(设计)人：

程仲良陈彦羽陈韦任李昌盛张伟

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹

IPC主分类号：

H01L2128

IPC分类号：

H01L21336 H01L2949 H01L2978

代理机构：

北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409

代理人：

章社杲;孙征

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-06-24	公开	公开
2017-10-24	授权	授权
2015-07-22	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101617849491 IPC(主分类):H01L 21/28 专利申请号:2014100756945 申请日:20140303

共 50 条

[1]

具有金属栅极结构的半导体器件及其制造方法 [P].

林政颐 ;

陈书涵 ;

徐志安 .

中国专利 :CN118919490A ,2024-11-08

[2]

具有金属栅极的半导体结构及其制作方法 [P].

刘安淇 ;

林俊贤 .

中国专利 :CN103383918A ,2013-11-06

[3]

具有金属栅极堆叠的半导体装置及其制造方法 [P].

益冈有里 ;

杨士洪 ;

林秉顺 .

中国专利 :CN101714507A ,2010-05-26

[4]

金属栅极、半导体器件及其制造方法 [P].

江涛 .

中国专利 :CN109037046B ,2018-12-18

[5]

具有金属栅极的半导体器件结构及其制备方法 [P].

平延磊 ;

杨瑞鹏 ;

肖德元 .

中国专利 :CN111128889A ,2020-05-08

[6]

具有金属栅极的半导体元件与其制造方法 [P].

黄光耀 ;

林俊贤 ;

施宏霖 ;

廖俊雄 ;

李志成 ;

徐韶华 ;

陈奕文 ;

陈正国 ;

曾荣宗 ;

林建廷 ;

黄同雋 ;

杨杰甯 ;

蔡宗龙 ;

廖柏瑞 ;

赖建铭 ;

陈映璁 ;

马诚佑 ;

洪文瀚 ;

许哲华 .

中国专利 :CN102737971A ,2012-10-17

[7]

金属栅极结构、半导体器件及其制造方法 [P].

黄铭淇 ;

庄英良 ;

叶明熙 ;

黄国彬 .

中国专利 :CN109326562A ,2019-02-12

[8]

具有金属栅极的半导体元件及其制作方法 [P].

黄光耀 ;

杨玉如 ;

廖俊雄 ;

周珮玉 .

中国专利 :CN102237399B ,2011-11-09

[9]

多栅极的半导体结构及其制造方法 [P].

魏宏谕 ;

彭培修 ;

任楷 .

中国专利 :CN113410228B ,2024-03-01

[10]

多栅极的半导体结构及其制造方法 [P].

魏宏谕 ;

彭培修 ;

任楷 .

中国专利 :CN113410228A ,2021-09-17

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