多栅极的半导体结构及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010180818.1

申请日：

2020-03-16

公开(公告)号：

CN113410228A

公开(公告)日：

2021-09-17

发明(设计)人：

魏宏谕彭培修任楷

申请人：

申请人地址：

中国台湾台中市

IPC主分类号：

H01L27088

IPC分类号：

H01L218234 H01L29423

代理机构：

北京三友知识产权代理有限公司 11127

代理人：

王天尧;汤在彦

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-09-17	公开	公开
2021-10-08	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/088 申请日:20200316

共 50 条

[1]

多栅极的半导体结构及其制造方法 [P].

魏宏谕 ;

彭培修 ;

任楷 .

中国专利 :CN113410228B ,2024-03-01

[2]

半导体装置的栅极结构、半导体装置及其制造方法 [P].

韦国樑 ;

李鸿志 .

中国专利 :CN102339740B ,2012-02-01

[3]

制造半导体装置的方法、多栅极半导体装置及其制造方法 [P].

林汶儀 ;

胡希圣 ;

朱崇豪 ;

陈朝祺 .

中国专利 :CN118888444A ,2024-11-01

[4]

具有金属栅极的半导体结构及其制造方法 [P].

程仲良 ;

陈彦羽 ;

陈韦任 ;

李昌盛 ;

张伟 .

中国专利 :CN104733298A ,2015-06-24

[5]

栅极半导体结构 [P].

蔡镇宇 .

中国专利 :CN118231454A ,2024-06-21

[6]

栅极再氧化方法及半导体结构的制造方法 [P].

何有丰 ;

胡亚兰 .

中国专利 :CN102087966A ,2011-06-08

[7]

半导体装置、半导体装置的栅极结构及其制造方法 [P].

廖政华 .

中国专利 :CN103681803A ,2014-03-26

[8]

半导体结构及其制造方法 [P].

陈鼎元 ;

余振华 .

中国专利 :CN101527280A ,2009-09-09

[9]

半导体结构及其制造方法 [P].

刘哲孝 ;

林志威 ;

邱柏豪 ;

庄璧光 ;

许静宜 .

中国专利 :CN117672857A ,2024-03-08

[10]

半导体结构及其制造方法 [P].

裴静伟 ;

陈邦旭 .

中国专利 :CN1949532A ,2007-04-18

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