栅极再氧化方法及半导体结构的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910199997.7

申请日：

2009-12-04

公开(公告)号：

CN102087966A

公开(公告)日：

2011-06-08

发明(设计)人：

何有丰胡亚兰

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L2128

IPC分类号：

H01L21283 H01L21336 H01L218238

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

李丽

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-11-11	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101723311638 IPC(主分类):H01L 21/28 专利申请号:2009101999977 申请公布日:20110608
2011-07-20	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101089509527 IPC(主分类):H01L 21/28 专利申请号:2009101999977 申请日:20091204
2012-12-12	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101483562559 IPC(主分类):H01L 21/28 专利申请号:2009101999977 变更事项:申请人变更前权利人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司变更后权利人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司变更事项:地址变更前权利人:201203 上海市浦东新区张江路18号变更后权利人:201203 上海市浦东新区张江路18号变更事项:申请人变更前权利人:无变更后权利人:中芯国际集成电路制造(北京)有限公司登记生效日:20121109
2011-06-08	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体结构及其制造方法 [P].

周飞 .

中国专利 :CN106935550A ,2017-07-07

[2]

半导体器件栅极结构的制造方法 [P].

吴汉明 .

中国专利 :CN101038870A ,2007-09-19

[3]

半导体结构的制造方法及半导体结构 [P].

吴森 ;

许鹏凯 ;

王一 ;

孙文彦 .

中国专利 :CN109599341A ,2019-04-09

[4]

半导体结构的制造方法 [P].

周飞 .

中国专利 :CN106876273B ,2017-06-20

[5]

半导体结构/栅极结构制备方法、半导体结构及栅极结构 [P].

张冲 .

中国专利 :CN117766380A ,2024-03-26

[6]

多栅极的半导体结构及其制造方法 [P].

魏宏谕 ;

彭培修 ;

任楷 .

中国专利 :CN113410228B ,2024-03-01

[7]

多栅极的半导体结构及其制造方法 [P].

魏宏谕 ;

彭培修 ;

任楷 .

中国专利 :CN113410228A ,2021-09-17

[8]

制造半导体装置中的栅极结构的方法 [P].

陈俊纮 ;

刘维恩 ;

陈亮吟 ;

于雄飞 ;

张惠政 .

中国专利 :CN106653588A ,2017-05-10

[9]

金属栅极的制造方法及半导体器件 [P].

杨明仑 .

中国专利 :CN110379710A ,2019-10-25

[10]

半导体结构的制造方法及半导体结构 [P].

乔梦竹 .

中国专利 :CN114203624A ,2022-03-18

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