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半导体结构的制造方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201510923214.0
申请日
:
2015-12-11
公开(公告)号
:
CN106876273B
公开(公告)日
:
2017-06-20
发明(设计)人
:
周飞
申请人
:
申请人地址
:
201203 上海市浦东新区张江路18号
IPC主分类号
:
H01L21336
IPC分类号
:
H01L218234
代理机构
:
北京集佳知识产权代理有限公司 11227
代理人
:
高静;吴敏
法律状态
:
授权
国省代码
:
引用
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2019-12-03
授权
授权
2017-07-14
实质审查的生效
实质审查的生效 号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101734188128 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:2015109232140 申请日:20151211
2017-06-20
公开
公开
共 50 条
[1]
半导体结构及其制造方法
[P].
周飞
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
周飞
.
中国专利
:CN106935550A
,2017-07-07
[2]
半导体结构的制造方法
[P].
周飞
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
周飞
.
中国专利
:CN106684144A
,2017-05-17
[3]
半导体结构的制造方法
[P].
周飞
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
周飞
.
中国专利
:CN106653691A
,2017-05-10
[4]
半导体结构及其制造方法
[P].
周飞
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
周飞
.
中国专利
:CN106952908A
,2017-07-14
[5]
半导体结构的制造方法
[P].
周飞
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
周飞
.
中国专利
:CN106684042B
,2017-05-17
[6]
半导体结构的制造方法
[P].
周飞
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
周飞
.
中国专利
:CN106876335A
,2017-06-20
[7]
半导体结构刻蚀方法及半导体器件的制造方法
[P].
胡伟玲
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
上海华力微电子有限公司
上海华力微电子有限公司
胡伟玲
;
林玲玲
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
上海华力微电子有限公司
上海华力微电子有限公司
林玲玲
.
中国专利
:CN118213272A
,2024-06-18
[8]
半导体结构的制造方法
[P].
艾义明
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
长江存储科技有限责任公司
长江存储科技有限责任公司
艾义明
;
杨永刚
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
长江存储科技有限责任公司
长江存储科技有限责任公司
杨永刚
.
中国专利
:CN112103296B
,2024-05-24
[9]
半导体结构的制造方法
[P].
周飞
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
周飞
.
中国专利
:CN107275213B
,2017-10-20
[10]
半导体结构的制造方法
[P].
艾义明
论文数:
0
引用数:
0
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0
艾义明
;
杨永刚
论文数:
0
引用数:
0
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0
杨永刚
.
中国专利
:CN112103296A
,2020-12-18
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