金属栅极的制造方法及半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910676283.4

申请日：

2019-07-25

公开(公告)号：

CN110379710A

公开(公告)日：

2019-10-25

发明(设计)人：

杨明仑

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区康桥东路298号1幢1060室

IPC主分类号：

H01L2128

IPC分类号：

H01L2949

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

郭四华

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-11-19	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/28 申请日:20190725
2019-10-25	公开	公开

共 50 条

[1]

金属栅极、半导体器件及其制造方法 [P].

江涛 .

中国专利 :CN109037046B ,2018-12-18

[2]

金属栅极及半导体器件的制造方法 [P].

韩秋华 ;

赵简 .

中国专利 :CN107785247A ,2018-03-09

[3]

制造金属栅极半导体器件的方法 [P].

钟升镇 ;

朱鸣 ;

林俊铭 ;

杨宝如 ;

庄学理 .

中国专利 :CN103367132B ,2013-10-23

[4]

半导体器件的制造方法 [P].

鲍金玉 .

中国专利 :CN119947223A ,2025-05-06

[5]

半导体器件的制造方法 [P].

康俊龙 ;

成鑫华 ;

郝艳霞 ;

尹俊 ;

聂广宇 .

中国专利 :CN109300782A ,2019-02-01

[6]

金属栅极CMP工艺及半导体器件的制造方法 [P].

蒋莉 ;

黎铭琦 .

中国专利 :CN104637798A ,2015-05-20

[7]

半导体器件的制造方法及半导体器件 [P].

陈峰 ;

陈勇树 ;

李晓怡 .

中国专利 :CN117612944B ,2024-10-01

[8]

半导体器件的制造方法及半导体器件 [P].

陈峰 ;

陈勇树 ;

李晓怡 .

中国专利 :CN117612944A ,2024-02-27

[9]

金属栅极、半导体器件及其制造方法 [P].

邓浩 ;

徐建华 .

中国专利 :CN109786448A ,2019-05-21

[10]

金属栅极半导体器件及其制造方法 [P].

庄学理 ;

朱鸣 ;

林慧雯 ;

杨宝如 .

中国专利 :CN103367254A ,2013-10-23

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