金属栅极半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210282890.0

申请日：

2012-08-09

公开(公告)号：

CN103367254A

公开(公告)日：

2013-10-23

发明(设计)人：

庄学理朱鸣林慧雯杨宝如

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹

IPC主分类号：

H01L218238

IPC分类号：

H01L2128 H01L27092 H01L2949

代理机构：

北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409

代理人：

章社杲;孙征

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-10-23	公开	公开
2013-11-20	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101542125913 IPC(主分类):H01L 21/8238 专利申请号:2012102828900 申请日:20120809

共 50 条

[1]

金属栅极、半导体器件及其制造方法 [P].

邓浩 ;

徐建华 .

中国专利 :CN109786448A ,2019-05-21

[2]

金属栅极、半导体器件及其制造方法 [P].

江涛 .

中国专利 :CN109037046B ,2018-12-18

[3]

制造金属栅极半导体器件的方法 [P].

钟升镇 ;

朱鸣 ;

林俊铭 ;

杨宝如 ;

庄学理 .

中国专利 :CN103367132B ,2013-10-23

[4]

金属栅极结构、半导体器件及其制造方法 [P].

黄铭淇 ;

庄英良 ;

叶明熙 ;

黄国彬 .

中国专利 :CN109326562A ,2019-02-12

[5]

功函数层、金属栅极、半导体器件及其制造方法 [P].

徐建华 ;

付小牛 .

中国专利 :CN109119335B ,2019-01-01

[6]

金属栅极半导体器件 [P].

黄仁安 ;

朱鸣 ;

刘继文 .

中国专利 :CN103325670B ,2013-09-25

[7]

金属栅极及半导体器件的制造方法 [P].

韩秋华 ;

赵简 .

中国专利 :CN107785247A ,2018-03-09

[8]

金属栅极的制造方法及半导体器件 [P].

杨明仑 .

中国专利 :CN110379710A ,2019-10-25

[9]

具有金属栅极结构的半导体器件及其制造方法 [P].

林政颐 ;

陈书涵 ;

徐志安 .

中国专利 :CN118919490A ,2024-11-08

[10]

半导体器件及其金属栅极的形成方法 [P].

林静 ;

蔡国辉 .

中国专利 :CN109935518B ,2019-06-25

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