功函数层、金属栅极、半导体器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710487583.9

申请日：

2017-06-23

公开(公告)号：

CN109119335B

公开(公告)日：

2019-01-01

发明(设计)人：

徐建华付小牛

申请人：

申请人地址：

300385 天津市西青区西青经济开发区兴华道19号

IPC主分类号：

H01L2128

IPC分类号：

H01L21336 H01L2978

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人：

屈蘅;李时云

法律状态：

授权

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-05-28	授权	授权
2019-01-01	公开	公开
2019-01-25	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/28 申请日:20170623

共 50 条

[1]

金属栅极、半导体器件及其制造方法 [P].

邓浩 ;

徐建华 .

中国专利 :CN109786448A ,2019-05-21

[2]

金属栅极功函数层的制备方法、半导体器件及制备方法 [P].

徐建华 .

中国专利 :CN105336598A ,2016-02-17

[3]

金属栅极、半导体器件及其制造方法 [P].

江涛 .

中国专利 :CN109037046B ,2018-12-18

[4]

金属栅极半导体器件及其制造方法 [P].

庄学理 ;

朱鸣 ;

林慧雯 ;

杨宝如 .

中国专利 :CN103367254A ,2013-10-23

[5]

具有双功函数栅极结构的半导体器件及其制造方法 [P].

吴泰京 .

中国专利 :CN105702714A ,2016-06-22

[6]

栅极具有不同功函数的双栅极半导体器件及其制造方法 [P].

马克·范达尔 ;

拉杜·苏尔代亚努 .

中国专利 :CN101385150A ,2009-03-11

[7]

双功函数金属栅极结构及其制造方法 [P].

金旼炷 ;

李钟镐 ;

韩成基 ;

丁炯硕 .

中国专利 :CN1812054A ,2006-08-02

[8]

制造金属栅极半导体器件的方法 [P].

钟升镇 ;

朱鸣 ;

林俊铭 ;

杨宝如 ;

庄学理 .

中国专利 :CN103367132B ,2013-10-23

[9]

功函数层的制作方法、金属栅极及具有其的半导体器件 [P].

吴左生 .

中国专利 :CN115132663A ,2022-09-30

[10]

金属栅极结构、半导体器件及其制造方法 [P].

黄铭淇 ;

庄英良 ;

叶明熙 ;

黄国彬 .

中国专利 :CN109326562A ,2019-02-12

← 1 2 3 4 5 →