金属栅极功函数层的制备方法、半导体器件及制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410279864.1

申请日：

2014-06-20

公开(公告)号：

CN105336598A

公开(公告)日：

2016-02-17

发明(设计)人：

徐建华

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L21283

IPC分类号：

H01L2949

代理机构：

北京市磐华律师事务所 11336

代理人：

高伟;冯永贞

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-02-17	公开	公开
2016-03-16	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101650134795 IPC(主分类):H01L 21/283 专利申请号:2014102798641 申请日:20140620
2019-08-09	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 21/283 申请公布日:20160217

共 50 条

[1]

功函数层、金属栅极、半导体器件及其制造方法 [P].

徐建华 ;

付小牛 .

中国专利 :CN109119335B ,2019-01-01

[2]

功函数层的制作方法、金属栅极及具有其的半导体器件 [P].

吴左生 .

中国专利 :CN115132663A ,2022-09-30

[3]

具有横向调制栅极功函数的半导体器件和制备方法 [P].

B·多伊尔 ;

S·A·哈尔兰德 ;

M·多茨 ;

R·仇 .

中国专利 :CN100527437C ,2007-03-28

[4]

具有双功函数栅极结构的半导体器件 [P].

吴泰京 ;

李振烈 ;

金银贞 ;

金东洙 .

中国专利 :CN111668298A ,2020-09-15

[5]

具有双功函数栅极结构的半导体器件 [P].

吴泰京 ;

李振烈 ;

金银贞 ;

金东洙 .

中国专利 :CN105702730A ,2016-06-22

[6]

半导体器件的有效功函数调节的栅极结构及其形成方法 [P].

J·罗泽恩 ;

安藤崇志 ;

V·纳拉雅南 ;

鲍如强 ;

小川洋平 ;

畠中正信 .

美国专利 :CN111295747B ,2024-03-22

[7]

半导体器件栅极的制备方法及半导体器件栅极 [P].

韦钧 ;

夏欢 ;

康佳 ;

闫冬 ;

汪逸航 ;

冯毅伟 ;

张杰 ;

费凡 .

中国专利 :CN118338664A ,2024-07-12

[8]

具有双功函数栅极结构的半导体器件及其制造方法 [P].

吴泰京 .

中国专利 :CN105702714A ,2016-06-22

[9]

具有金属栅极的半导体器件结构及其制备方法 [P].

平延磊 ;

杨瑞鹏 ;

肖德元 .

中国专利 :CN111128889A ,2020-05-08

[10]

虚拟栅极及具有金属栅极的半导体器件结构的制备方法 [P].

贾超超 ;

刘佑铭 ;

孙武 ;

韩宝东 .

中国专利 :CN112289680A ,2021-01-29

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