具有横向调制栅极功函数的半导体器件和制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200580010856.6

申请日：

2005-03-28

公开(公告)号：

CN100527437C

公开(公告)日：

2007-03-28

发明(设计)人：

B·多伊尔 S·A·哈尔兰德 M·多茨 R·仇

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

H01L2949

IPC分类号：

H01L21336 H01L2128 H01L218238 H01L2978

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

张雪梅;陈景峻

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2007-03-28	公开	公开
2007-05-23	实质审查的生效	实质审查的生效
2009-08-12	授权	授权

共 50 条

[1]

具有双功函数栅极结构的半导体器件 [P].

吴泰京 ;

李振烈 ;

金银贞 ;

金东洙 .

中国专利 :CN111668298A ,2020-09-15

[2]

具有双功函数栅极结构的半导体器件 [P].

吴泰京 ;

李振烈 ;

金银贞 ;

金东洙 .

中国专利 :CN105702730A ,2016-06-22

[3]

具有双功函数栅极结构的半导体器件及其制造方法 [P].

吴泰京 .

中国专利 :CN105702714A ,2016-06-22

[4]

金属栅极功函数层的制备方法、半导体器件及制备方法 [P].

徐建华 .

中国专利 :CN105336598A ,2016-02-17

[5]

栅极具有不同功函数的双栅极半导体器件及其制造方法 [P].

马克·范达尔 ;

拉杜·苏尔代亚努 .

中国专利 :CN101385150A ,2009-03-11

[6]

功函数层、金属栅极、半导体器件及其制造方法 [P].

徐建华 ;

付小牛 .

中国专利 :CN109119335B ,2019-01-01

[7]

栅极结构、具有栅极结构的半导体器件及形成栅极结构和半导体器件的方法 [P].

尹在万 ;

朴东健 ;

李忠浩 ;

吉田诚 ;

李哲 .

中国专利 :CN1658401A ,2005-08-24

[8]

具有带可调功函数的栅叠层的半导体器件 [P].

鲍如强 ;

S.克里什南 ;

权彦五 ;

V.纳拉亚南 .

中国专利 :CN108475639A ,2018-08-31

[9]

半导体器件的有效功函数调节的栅极结构及其形成方法 [P].

J·罗泽恩 ;

安藤崇志 ;

V·纳拉雅南 ;

鲍如强 ;

小川洋平 ;

畠中正信 .

美国专利 :CN111295747B ,2024-03-22

[10]

具有旁路栅极的半导体器件及其制备方法 [P].

张太洙 ;

桂祯涉 .

中国专利 :CN105390542B ,2016-03-09

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