具有带可调功函数的栅叠层的半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201780006819.0

申请日：

2017-01-06

公开(公告)号：

CN108475639A

公开(公告)日：

2018-08-31

发明(设计)人：

鲍如强 S.克里什南权彦五 V.纳拉亚南

申请人：

申请人地址：

美国纽约阿芒克

IPC主分类号：

H01L213205

IPC分类号：

H01L214763 H01L218238 H01L2128 H01L2966 H01L2949 H01L27092

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

王蕊瑞

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-08-31	公开	公开
2018-09-25	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/3205 申请日:20170106

共 50 条

[1]

具有可调功函数的场效应晶体管叠层 [P].

鲍如强 ;

S·克瑞什南 ;

权彦五 ;

V·纳拉亚南 .

中国专利 :CN108475693B ,2018-08-31

[2]

具有双重功函数栅叠层的半导体器件及其制造方法 [P].

池连赫 ;

张世亿 ;

李承美 ;

金炯澈 .

中国专利 :CN103904029B ,2014-07-02

[3]

半导体器件栅极叠层 [P].

鲍如强 ;

S·克瑞什南 ;

权彦五 ;

V·纳拉亚南 .

中国专利 :CN108604595A ,2018-09-28

[4]

具有双功函数栅极结构的半导体器件 [P].

吴泰京 ;

李振烈 ;

金银贞 ;

金东洙 .

中国专利 :CN111668298A ,2020-09-15

[5]

具有双功函数栅极结构的半导体器件 [P].

吴泰京 ;

李振烈 ;

金银贞 ;

金东洙 .

中国专利 :CN105702730A ,2016-06-22

[6]

具有拥有不同功函数层的晶体管的半导体器件 [P].

任廷爀 ;

金完敦 ;

李钟汉 ;

丁炯硕 ;

玄尚镇 .

中国专利 :CN109830479B ,2019-05-31

[7]

具有平面功函数材料层的替代栅电极 [P].

郭德超 ;

汉述仁 ;

黄洸汉 ;

袁骏 .

中国专利 :CN103688356A ,2014-03-26

[8]

金属栅极功函数层的制备方法、半导体器件及制备方法 [P].

徐建华 .

中国专利 :CN105336598A ,2016-02-17

[9]

具有横向调制栅极功函数的半导体器件和制备方法 [P].

B·多伊尔 ;

S·A·哈尔兰德 ;

M·多茨 ;

R·仇 .

中国专利 :CN100527437C ,2007-03-28

[10]

具有双功函数栅极结构的半导体器件及其制造方法 [P].

吴泰京 .

中国专利 :CN105702714A ,2016-06-22

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